雪崩耐量计算公式

雪崩能量的计算公式如下图：

Datasheet中给出的雪崩能量值一般是真实能量值的一半左右。

雪崩击穿时MOSFET能承受的最大电流，超过这个电流，器件将损坏。雪崩电流一般等于器件的最大额定漏电流ID（即器件的最大工作电流）。

重复雪崩击穿能量EAR

MOSFET在重复情况下能承受的每一个脉冲的雪崩击穿能量。所谓的雪崩击穿，就是指：在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样通过空间电荷区的电子和空穴就会在电场作用下获得能量增大。

在晶体中运行的中子和空穴将不断的与警惕原子发生碰撞，通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子-空穴对。新产生的载流子在电场作用下再去碰撞其他中性原子，又产生的自由电子空穴对。

如此连锁反应使得阻挡层中的载流子的数量急剧增加，因而流过PN结的反向电流就急剧增大。因增长速度极快，象雪崩一样,所以这种碰撞电离称为雪崩击穿。

APD倍增因子M的计算公式很多，一个常用的公式为 M=1/1-(v/vB)n

式中: n 是由P-N 结材料决定的常数V B 为理想反向偏压V 为反向偏压的增加值。对于Si 材料,n =1. 5 ～ 4 对于Ge 材料n = 2. 5～8 。由式中还可看出,当| V | →| V B | 时, M → ∞, P-N结将发生雪崩击穿。

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