肖特基接触的概述

肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。与之对应的是欧姆接触，界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。

肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。

肖特基结是一种简单的金属与半导体的交界面，它与PN结相似，具有非线性阻抗特性（整流特性）。1938年德国的W.H.肖特基提出理论模型，对此特性做了科学的解释，故后来把这种金属与半导体的交界面称为肖特基结或肖特基势垒。其基本原理是由于半导体的逸出功一般比金属的小，故当金属与半导体（以N型为例）接触时，电子就从半导体流入金属，在半导体表面层形成一个由带正电不可移动的杂质离子组成的空间电荷区，如图1a所示，在此区中存在一个由半导体指向金属的电场，犹如筑起一座高墙，阻止半导体中的电子继续流入金属。从图1b肖特基势垒能带图可以看出在界面处半导体的能带发生弯曲，形成一个高势能区，这就是肖特基垒。电子必须高于这一势垒的能量才能越过势垒流入金属。当平衡时，肖特基势垒的高度是金属和半导体的逸出功的差值

1、定义不同

欧姆接触是指在接触处是一个纯电阻，而且该电阻越小越好，使得组件 *** 作时，大部分的电压降在活动区而不在接触面。因此，其I-V特性是线性关系，斜率越大接触电阻越小，接触电阻的大小直接影响器件的性能指标。

肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。

2、势垒不同

欧姆接触的界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。

而肖特基接触存在较大的接触势垒。

3、形成条件不同

欲形成欧姆接触，有两个先决条件：一是金属与半导体间有低的势垒高度，二是半导体有高浓度的杂质掺入(N _10EXP12 cm-3)。前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加后者则使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。

肖特基结是一种简单的金属与半导体的交界面，它与PN结相似，具有非线性阻抗特性。在界面处半导体的能带发生弯曲，形成一个高势能区，这就是肖特基垒。电子必须高于这一势垒的能量才能越过势垒流入金属。当平衡时，肖特基势垒的高度是金属和半导体的逸出功的差值。

参考资料来源：百度百科-欧姆接触

百度百科-肖特基接触

欧姆接触是指金属与半导体形成欧姆接触是指在接触处是一个纯电阻，而且该电阻越小越好，使得组件 *** 作时，大部分的电压降在活动区而不在接触面。因此，其I-V特性是线性关系，斜率越大接触电阻越小，接触电阻的大小直接影响器件的性能指标。

肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。与之对应的是欧姆接触，界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。

扩展资料：

肖特基接触到欧姆接触的转变：二维 (2D) InSe具有高达10^3 cm^2·V^-1·s^-1的电子迁移率，可以与黑磷相媲美，且能够在空气中稳定存在。在实际应用中，2D InSe需要与金属电极直接接触以实现载流子的注入。

然而，接触界面会形成有限的肖特基势垒，其降低了载流子的注入效率，增大了接触电阻，从而极大的削弱了器件性能。因此，通过调节接触界面的势垒高度来形成低电阻欧姆接触，对高性能半导体器件的设计，组装和制造至关重要。

参考资料来源：百度百科-欧姆接触

参考资料来源：百度百科-肖特基接触