半导体掺杂为什么是微量

有两个方面的原因：1、微量的杂质即可提供足够数量的载流子，具有一定的导电性；2、掺入到半导体中的杂质浓度要受到所谓固溶度的限制，最高只能达到最大固溶度，否则就要分凝出来——这实际上就达不到掺杂的目的。参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

就是在四价的半导体内加入导电的元素，比如在硅，锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性，加入的愈多，半导体材料的导电性越强。以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂。

轻掺杂和重掺杂一般同时出现在一个器件里的，因为轻重掺杂的费米能级不一样，所以设计器件的时候有的时候把相同的半导体材料掺杂到不同的浓度实现功能。

扩展资料：

半导体的特性：

1，半导体的电阻率随温度上升而明显下降，呈负温度系数的特性，半导体的导电能力随温度的增高而显著增强，有些半导体对温度的反映特别的灵敏，通常利用这种半导体做成热敏元件。

2，十导体的电阻率随光照的不同而改变-半导体的导电能力随光照强度的变化而变化；有些半导体当光照强度很大时变化很大，例如硫化镉薄膜，当无光照时，它的电阻达到几十兆欧姆，是绝缘体；而受到光照时，其电阻只有几十千欧姆。利用半导体的这种特性，我们可以做成各种光敏元件。

3，半导体的电阻率与所含微量杂质的浓度有很大关系，如果在纯净的半导体中掺人微量的其他元素(通常称作掺杂)，半导体的导电能力会随着掺杂浓度的变化而发生显著的变化。

本征半导体掺入微量的三价元素形成的是P型半导体，其多子为空穴。表示空穴可以等效成带正电的微粒。是以带正电的空穴导电为主的半导体。在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝，由于铟或铝原子周围有3个价电子。

半导体导电原理：

按照前面的说法，杂质半导体有自由移动的电荷，自然可以导电。

其实在理想情况（即绝对零度）下，本征半导体确实不能导电，所有的价电子都被束缚在了共价键上。但是一般半导体的应用都是在室温下进行的，这时候由于热运动，半导体会本征激发出一对空穴电子。

在两种杂质半导体中，当然也有本征激发。也就是说在N型半导体中，也有空穴的存在，但是数量少于自由电子，这两种载流子中，数量多的我们叫它多子，少的叫做少子。在P型半导体中则相反。

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