半导体存储器芯片按照读写功能可分为只读存储器(Read Only Memory,ROM)和随机读写存储器(Random Access Memory,RAM)两大类。
只读存储器电路结构简单,且存放的数据在断电后不会丢失,特别适合于存储永久性的、不变的程序代码或数据(如常数表、函数、表格和字符等),计算机中的自检程序就是固化在ROM中的。ROM的最大优点是具有不易失性。
不可重写只读存储器
1、掩模只读存储器(MROM)
掩模只读存储器,又称固定ROM。这种ROM在制造时,生产厂家利用掩模(Mask)技术把信息写入存储器中,使用时用户无法更改,适宜大批量生产。
掩模只读存储器可分为二极管ROM、双极型三极管ROM和MOS管ROM三种类型。
2、可编程只读存储器(PROM)
可编程只读存储器(Programmable ROM,简称PROM),是可由用户一次性写入信息的只读存储器,是在MROM的基础上发展而来的。
随机读写存储器
1、静态存储器(SRAM)
利用双稳态触发器来保存信息,只要不断电信息就不会丢失。静态存储器的集成度低,成本高,功耗较大,通常作为Cache的存储体。
2、动态存储器(DRAM)
利用MOS电容存储电荷来保存信息,使用时需要不断给电容充电才能保持信息。动态存储器电路简单,集成度高,成本低,功耗小,但需要反复进行刷新(Refresh) *** 作,工作速度较慢,适合作为主存储器的主体部分。
3、增强型DRAM(EDRAM)
EDRAM芯片是在DRAM芯片上集成一个高速小容量的SRAM芯片而构成的,这个小容量的SRAM芯片起到高速缓存的作用,从而使DRAM芯片的性能得到显著改进。
半导体存储器(semi-conductor memory)是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器,内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。按其功能可分为:随机存取存储器(简称RAM)和只读存储器(只读ROM)RAM包括DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器),当关机或断电时,其中的 信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存(内存的主体部分),SRAM主要用于高速缓存存储器。ROM 主要用于BIOS存储器。按其制造工艺可分为:双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。按其存储原理可分为:静态和动态两种。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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