本征半导体(intrinsic semiconductor)是指完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体,一般是指其导电能力主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。典型的本征半导体有硅(Si)、锗(Ge)及砷化镓(GaAs)等。
本征半导体是指化学成分纯净的半导体,它在物理结构上有多晶体和单晶体两种形态,制造半导体器件必须使用单晶体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%,常称为“九个9”。在制造半导体器件的过程中会进一步提高材料的纯度,单晶体不但纯度高,在晶格结构上也是没有缺陷的,用这样的单晶体制造的器件才能保证质量。
典型的本征半导体有硅(Si)、锗(Ge)及砷化镓(GaAs)等。
实际半导体不能绝对地纯净,此类半导体称为杂质半导体。
n-type和p-type半导体区别为:是多数载流子不同、导电效果不同、常温电导率不同。
一、是多数载流子不同
1、n-type半导体:n-type半导体的多数载流子是电子。
2、p-type半导体:p-type半导体的多数载流子是空穴。
二、高温导电效果不同
1、n-type半导体:在相同高温温度下,n-type半导体的电子更活跃,导电效果比p-type半导体的导电效果要好。
2、p-type半导体:在相同高温温度下,p-type半导体的电子更惰性,导电效果比n-type半导体的导电效果要差。
三、常温电导率不同
1、n-type半导体:在相同常温温度下,n-type半导体的电子更惰性,电导率比p-type半导体的电导率要差。
2、p-type半导体:在相同常温温度下,p-type半导体的电子更活跃,电导率比n-type半导体的电导率要好。
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