芯片储存信息的原理如下:
对动态存储器进行写入 *** 作时,行地址首先将RAS锁存于芯片中,然后列地址将CAS锁存于芯片中,WE有效,写入数据,则写入的数据被存储于指定的单元中。
对动态存储器进行读出 *** 作时,CPU首先输出RAS锁存信号,获得数据存储单元的行地址,然后输出CAS锁存信号,获得数据存储单元的列地址,保持WE=1,便可将已知行列地址的存储单元中数据读取出来。
扩展资料
主存储器的两个重要技术指标:
读写速度:常常用存储周期来度量,存储周期是连续启动两次独立的存储器 *** 作(如读 *** 作)所必需的时间间隔。
存储容量:通常用构成存储器的字节数或字数来计量。
地址总线用于选择主存储器的一个存储单元,若地址总线的位数k,则最大可寻址空间为2k。如k=20,可访问1MB的存储单元。数据总线用于在计算机各功能部件之间传送数据。控制总线用于指明总线的工作周期和本次输入/输出完成的时刻。
主存储器分类:
按信息保存的长短分:ROM与RAM。
按生产工艺分:静态存储器与动态存储器。
静态存储器(SRAM):读写速度快,生产成本高,多用于容量较小的高速缓冲存储器。动态存储器(DRAM):读写速度较慢,集成度高,生产成本低,多用于容量较大的主存储器。
按其功能可分为:随机存取存储器(简称RAM)和只读存储器(只读ROM)RAM包括DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器),当关机或断电时,其中的 信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存(内存的主体部分),SRAM主要用于高速缓存存储器。
ROM 主要用于BIOS存储器。
按其制造工艺
可分为:双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。
按其存储原理
可分为:静态和动态两种。
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