轻掺杂漏区(Lightly Doped Drain,LDD)结构,是MOSFET为了减弱漏区电场、以改进热电子退化效应所采取的一种结构(见图示)。即是在沟道中靠近漏极的附近设置一个低掺杂的漏区,让该低掺杂的漏区也承受部分电压,这种结构可防止热电子退化效应。实际上,现在这种结构已经成为了大规模集成电路中MOSFET的基本结构。
轻掺杂漏区(Lightly Doped Drain,LDD)结构,是MOSFET为了减弱漏区电场、以改进热电子退化效应所采取的一种结构,即是在沟道中靠近漏极的附近设置一个低掺杂的漏区,让该低掺杂的漏区也承受部分电压,这种结构可防止热电子退化效应。实际上,现在这种结构已经成为了大规模集成电路中MOSFET的基本结构。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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