化学镀镍半导体拉力不好的原因

化学镀镍半导体拉力不好的原因,第1张

化学镀镍半导体拉力不好的原因

A . PH值过低,反应慢,沉积速度低

B.PH值过高,溶液会反应剧烈,呈沸腾状,出现深灰色镍粉(溶液自然分解的象征)

*** 作中可以添加氨水来补充蒸发了的氨和中和沉积反应时产生的酸4.温度:

温度对沉积速度影响很大,温度俞高,沉淀速度俞快,当温度低于700C 反应已不进行,当温度高于950C时,将大大降低溶液的稳定性,特别是加热不均匀,PH值偏高时,很容易的自然分解

5.镀镍的时间:

时间过长,沉积的镍层过厚,在烧结时会导镍层致脱落,镀镍失败

时间过短,沉积的镍层过薄,烧结渗入芯片中的镍层不足,不会与二次镍足够的接合在一起,导致抗拉力不足。

本公司镀镍工艺采用渐延长时间的镀镍工艺,2-4min,控制镍层在一个比较均匀的范围内

6.烧结:

由于热能的驱动,加上镍是比较活泼的金属,在高温下镍极易向硅层中渗透。

控制点:

A.氮气的流量

因镍在高温下极易氧化,氮气作为保护气体必须提供足够的保护作用B.推拉杆的速度:

推进的速度过快:热应力过大,层与硅层的附着性降低

拉出的速度过快:芯片过热的情况下拉至炉口导致镍层氧化C.在炉口冷却足够时间:

防止芯片镍层氧化

7.去氧化镍及清洗:

目的:

A.去没有烧渗入硅层内部多余的镍层及氧化镍,为二次镍作与一次镍结合提供清洁,无杂质干扰的环境

B.如氧化镍除去不净,它会增高VF

工艺条件:

85℃热硝酸浸泡4min,浸1:10HF30秒,振清洗10:15min.

控制重点:

A.将一次镍外表的氧化镍及其它杂质振荡清洗撤底,如清洗不净会导致一次镍与二次镍之间的结合不良,最终导致一次镍与二次镍之间的

1、首先减面拉拔,将热轧后的带有致密氧化皮的线材进行减面拉拔,拉拔的减面率为8-12%。

2、其次去除线材表面润滑剂,将经过步骤一处理后的线材放入超声波清洗箱中的洗液,超声波清洗箱的内壁上安装有数块超声波发生器,经过超声波振动后去除线材表面附着的拉拔润滑剂,用30-40℃温水漂洗干净后,再用80-90℃热水漂洗,烘干,酸洗浸泡将经过步骤二处理后的线材放入酸洗槽中,酸洗槽中的酸洗液中各组分的质量百分比含量为:硫酸15-18%,硝酸钠5-8%,氯化钠3-5%,剩余为水,酸洗液的温度为30-50℃,浸泡时间为1.5-5小时。

3、最后高压冲洗表面氧化皮,将经过步骤三处理后的线材从酸洗槽中捞出,用高压水进行冲洗,去除线材表面的氧化皮,高压水的压力为2-5mpa,流量为20-50l/min,后漂洗烘干,将经过步骤四冲洗后的线材用80-90℃热水漂洗后烘干,即可得到去除氧化皮后表面光亮度良好的线材。


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