半导体垂直穿过磁场还是平行穿过磁场

半导体垂直穿过磁场。根据查询相关公开信息显示磁场是可以激发半导体材料产生空穴的，但自由电子和空穴必须成对产生条件是，半导体材料在磁场中运动，方向为垂直于磁力线方向，磁场足够强或半导体材料运动足够快。

霍尔传感器是利用霍尔效应制成的传感器元件，用它可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。

半导体薄片置于磁感应强度为B 的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流I 流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势VH，这种现象称为霍尔效应。

详细的原理我有ppt,可以再联系。

1将半导体薄片放置于磁场中，当它电流方向与磁场方向不一致时，半导体薄面上平行于电流和磁场的两面间产生电动势

2利用霍尔效应院历将测量的物理量转变为电动势的传感器

希望对你有帮助

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