半导体器件大神帮解答下

1、电容的物理意义是电荷随电压的变化量，对于扩散电容，电压引起的电荷变化主要来自于非平衡少子的注入，与产生复合无关，也就与少子寿命无关。所以选第三项

2、扩散电容充放电的过程即非平衡载流子渡过基区的过程，可见充放电的时间就是渡越时间，选第一项

3、发射结注入效率等于1-发射区方阻除以基区方阻，共射极电流放大倍数等于100，从以上两个条件可以得到基区输运因子0.995，基区输运因子等于1-基区渡越时间除以基区少子寿命，最终计算结果为第三个选项

4、没明白题目到底想问啥。

5、共射极电流放大倍数等于分子（基区输运因子乘以发射结注入效率）除以分母（1-基区输运因子乘以发射结注入效率），计算结果是44，选第一项。

6、根据爱因斯坦关系，由于电子的迁移率大于空穴的迁移率，电子的扩散系数大于空穴的扩散系数。在相同的浓度梯度下（材料掺杂和偏置电压相同），显然电子的扩散电流要大于空穴的扩散电流对于PNP管。发射区的扩散电流是电子扩散电流，可见PNP管的发射结注入效率比NPN管低。扩散系数大的电子在基区的渡越时间比较短，基区输运因子等于1-基区渡越时间除以基区少子寿命，可见NPN管的基区输运因子大于PNP管，选第三项。

学好半导体物理的方法：

1、要学好半导体物理，首先需要一些经典的教材。比如石民先生写的《半导体器件物理》，估计所有学半导体的同学都听说过。

2、要学好半导体器件物理，需要掌握好的学习方法，尤其是PN结理论。其中，内置电场、电势、耗尽区宽度等公式的推导和严密的逻辑体系值得仔细推敲和反复研究，这是后面三极管和MOS晶体管的基础。

3、学好一门课就是听课，真正学好一门课就是讲课。如果老师给机会做一些专题的小讲座，我们一定要珍惜和欣赏。

4、需要使用TCAD工具模拟具体的器件，观察各种参数对器件性能的影响，检查器件的具体 *** 作，形成直观的印象。

研究半导体中的电子状态是以固体电子论和能带理论为基础，主要研究半导体的电子状态，即能带结构、杂质和缺陷的影响、电子在外电场和外磁场作用下的输运过程、半导体的光电和热电效应、半导体的表面结构和性质、半导体与金属或不同类型半导体接触时界面的性质和所发生的过程、各种半导体器件的作用机理和制造工艺等。

热缺陷是由于晶体中的原子(或离子)的热运动而造成的缺陷,从几何图形上看是一种点缺陷,热缺陷的数量与温度有关，温度愈高，造成缺陷的机会愈多。晶体中热缺陷有2种形态，一是肖脱基(Schotty)缺陷，2是弗仑克尔(Frenkel)缺陷。

1)肖脱基缺陷

由于热运动，晶体中阳离子及阴离子脱离平衡位置，跑到晶体表面或晶界位置上，构成一层新的界面，而产生阳离子空位及阴离子空位，不过，这些阳离子空位与阴离子空位是符合晶体化学计量比的。如：MgO晶体中，形成Mg2+和O2-空位数相等。而在TiO2中，每形成一个Ti4+离子空位，就形成两个O2-离子空位。肖脱基缺陷实际产生过程是：由于靠近表面层的离子热运动到新的晶面后产生空位，然后，内部邻近的离子再进入这个空位，这样逐步进行而造成缺陷。

2）弗仑克尔缺陷

弗仑克尔缺陷形成过程为：一种离子脱离平衡位置挤入晶体的间隙位置中去，形成所谓间隙（或称填隙）离子，而原来位置形成了阳离子或阴离子空位。这种缺陷的特点是间隙离子和空位是成对出现的。弗仑克尔缺陷除与温度有关外，与晶体本身结构也有很大关系，若晶体中间隙位置较大，则易形成弗仑克尔缺陷。如AgBr比NaCl易形成这种缺陷。

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