电子为什么从更负的导带跃迁到更正的导带

电子带负电，正负相吸。拓展：跃迁类型第一种类型：价带顶和导带底位于相同的k点，直接带隙半导体电子吸收光子从价带顶跃迁到导带底，满足能量守恒和准栋梁守恒的选样定则，即 在讨论本征光吸收时，光子动量可省（差了个数量级），跃迁选择定则可简写成，跃迁过程中波矢不变，能带图上，初末态几乎在同一条直线上，也称竖直跃迁第二种类型：价带顶和导带底位于不同的k点，间接带隙半导体非竖直跃迁，单纯吸收光子不能使电子从价带顶跃迁到导带底，必须在吸收光子的同时伴随吸收或者发射一个声子：电子能量差=光子能量声子能量声子能量较小，近似：电子能量差=光子能量而准动量守恒的跃迁选择定则为： 为声子的准动量，它与能带中电子的准动量相仿，可略去光子动量：公式理解：电子跃迁过程中，光子主要提供跃迁所需的能量，二声子则住哟啊提供给跃迁所需的准动量。光吸收的逆反应：导带中的电子跃迁到价带空能级而发射光子，称为电子-空穴对的复合发光。通常来说，电子集中在导带底，空穴集中在价带顶发射光子的能量基本等于带隙宽度。吸收相同的光子，直接带隙半导体发光几率远大于简介带隙半导体，利用电子-空穴复合发光的器件主要时直接半导体，发光颜色取决与半导体的带隙大小。

半导体中非平衡载流子的复合过程可以通过多种方式、即不同的复合机理来完成。这与半导体的能带结构紧密相关。对于具有直接跃迁能带（导带底与价带顶在Brilouin区的同一个k处）的GaAs、InSb、PbSb、PbTe等半导体，导带电子与价带空穴直接发生复合时没有准动量k的变化，可较容易地发生，这称为直接复合（竖直跃迁）的机理，这时非平衡载流子的寿命就由此直接复合过程来决定。而对于Si、Ge等具有间接跃迁能带（导带底与价带顶不在Brilouin区的同一个k处）的半导体，电子与空穴发生直接复合（非竖直跃迁）时将有动量的变化，则一般比较难于发生；但这类半导体如果通过另外一种因素的帮助，即可比较容易实现复合，这种起促进复合作用的因素往往是一些具有较深束缚能级（多半处于禁带中央附近）的杂质或缺陷中心，特称为复合中心。借助于复合中心的复合就称为间接复合（也称为Shockley-Read-Hall [SRH]复合），这时非平衡载流子的寿命就主要决定于复合中心的浓度和性质。关于非平衡载流子的复合，除了直接复合和间接复合以外，还有许多其它的复合机理，例如表面复合、Auger复合等。

一楼没看清问题。为公平起见，我先把一楼的回答翻译成中文，加上我的评语【在黑括号内】，然后再给出我的回答。取决于你要解什么问题【没错】。如果我们只考虑自由费米子，那么狄拉克方程具有洛仑兹对称【胡言乱语。谁问＂自由费米子＂了？】。它的表象分类为H和自旋【H里不包含自旋？你上课睡着了吧？】。因此，我们选择这些变量【自旋是个变量，H可不是】。而且狄拉克方程具有平移不变性，所以可以用动量来表示其解【文不对题。半导体器件里几乎没有平移不变的问题】。当有相互作用时，应该用别的，如中心力问题中用角动量【越说离题越远。半导体里哪来的中心力问题？】。当耦合到电磁场时，事实上还有一个量子数，就是电荷【错！电荷在固体里是个常数，只有在量子场论里才是量子数】。还有，如果我们考虑电子的弱相互作用，那么还有同位旋【一楼这是在忽悠谁呢？半导体物理要考虑同位旋，那你是不是坐火箭上下楼啊？】正确答案：在玻耳兹曼方程中，电子的分布函数有七个变量：三个坐标、三个动量分量、一个时间变量。如果是稳态过程，时间变量可以去掉。即使是瞬态问题，时间也不是粒子的自由度。所以从玻耳兹曼方程讲，电子应该有六个自由度。从热力学意义上讲，每个动量分量都是相应方向坐标分量的共轭变量，所以只有三个自由度。除非做自旋电子学，否则自旋自由度可以不考虑。简言之：玻耳兹曼方程六个自由度，热力学三个自由度。

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