有以下共同特点:
1.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间
2.半导体受外界光和热的刺激时,其导电能力将会有显著变化。
3.在纯净半导体中,加入微量的杂质,其导电能力会急剧增强。
优点:基本上能够解释浅能级杂质电离能的小的差异,计算简单缺点:只有电子轨道半径较大时,该模型才较适用,如Ge.相反,对电子轨道半径较小的,如Si,简单的库仑势场不能计入引入杂质中心带来的全部影响。
参考:叶良修《半导体物理学》
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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1.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间
2.半导体受外界光和热的刺激时,其导电能力将会有显著变化。
3.在纯净半导体中,加入微量的杂质,其导电能力会急剧增强。
优点:基本上能够解释浅能级杂质电离能的小的差异,计算简单缺点:只有电子轨道半径较大时,该模型才较适用,如Ge.相反,对电子轨道半径较小的,如Si,简单的库仑势场不能计入引入杂质中心带来的全部影响。
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