关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题

概念上的问题首先，没有扩散能量这个概念，扩散是一种自然进行的动作，最终会达到动态平衡。而耗尽层宽度就取决于达到动态平衡状态的掺杂浓度。而耗尽层的宽度主要受到两种作用的影响，那就是多子的扩散和少子的漂移，扩散是由于浓度差的存在，漂移是因为空间电荷区的电场作用，两者达到动态平衡后耗尽层宽度就不再变化。掺杂浓度越高，耗尽区越宽，而不是越窄，浓度升高，扩散作用变强，空间电荷区变宽，同时漂移作用增强阻碍扩散，达到平衡后实际耗尽区宽度是变宽了。最后，电场强度如上所述，是会随着掺杂浓度变化的，而不是不变的

由公式p-n结接触电势差VD正比于温度,而耗尽层厚度正比于接触电压VD的1/2次方,因此,温度升高,耗尽层的宽度随温度增加.函数关系满足开平方增长.在刘恩科的半导体物理学中有相应公式,很容易找到的.耗尽区，是指PN结中在漂移运动和扩散作用的双重影响下载流子数量非常少的一个高电阻区域。耗尽层的宽度与材料本身性质、温度以及偏置电压的大小有关。

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