《科创板日报》(上海,研究员 何律衡)讯, 近期,以氮化镓、碳化硅为首的第三代半导体材料在A股市场引领了一波 科技 股回暖的热潮,引发市场对功率半导体的瞩目。与此同时,在该领域走在全球前列的日本,却已向号称第四代半导体的氧化镓展露了野心。
据日本媒体最新报道,日本经济产业省(METI)正准备为致力于开发新一代低能耗半导体材料“三氧化镓”的私营企业和大学提供财政支持,METI将为明年留出大约2030万美元的资金,预计未来5年的投资额将超过8560万美元。
在此基础上,第三代半导体材料由于普遍具有直接禁带结构,且禁带宽度更大、电子饱和漂移速度更高等特点,被越来越多地应用到功率半导体上。
在这其中,碳化硅和氮化镓当前应用最为广泛,前者具有宽禁带、高临界击穿电场、高饱和电子迁移速度和高热导率等特性,已在新能源 汽车 的电源管理中有所应用,后者则具有宽禁带、高饱和电子漂移速度、高电子迁移率等物理特性,在消费电子快充产品上得以应用。
而氧化镓被认为是继碳化硅和氮化镓之后的“第三代用于功率元件的宽禁带半导体”。这种材料最初计划用于LED(发光二极管)基板、深紫外光(Deep Ultra Violet)受光素子等,在近十年才被应用于功率半导体方向,继而引发全球研发的热潮。
研究表明,氧化镓的禁带宽度为4.9eV,超过碳化硅、氮化镓等材料,采用禁带更宽的材料可以制成系统更薄、更轻、功率更高的功率器件;击穿场强高于碳化硅和氮化硅,目前 β-Ga2O3 的击穿场强可以达到 8MV/cm,是碳化硅的两倍。
中银证券分析师赵琦3月27日报告指出,氧化镓更有可能在扩展超宽禁带系统可用的功率和电压范围方面发挥作用,其中最有希望的应用可能是电力调节和配电系统中的高压整流器,如电动 汽车 和光伏太阳能系统。
不过,氧化镓的导热率低,散热性能差是限制氧化镓市场运用的主要因素。氧化镓的热管理研究是当前各国研究的主要方向。赵琦认为,如若未来氧化镓的散热问题被攻克,氧化镓将是未来高功率、高压运用的功率半导体材料的有力竞争者。
据外媒报道,今年4月,美国纽约州立大学布法罗分校(the University at Buffalo)正在研发一款基于氧化镓的晶体管,能够承受8000V以上的电压,而且只有一张纸那么薄,将用于制造更小、更高效的电子系统,用在电动 汽车 、机车和飞机上,用于控制和转换电子,同时帮助延长此类交通工具的续航里程。
除了美国之外,从全球范围来看,日本作为全球首个研究氧化镓材料的国家,同样具备竞争优势。METI认为,日本公司将能够在本世纪20年代末开始为数据中心、家用电器和 汽车 供应基于氧化镓的半导体。一旦氧化镓取代目前广泛使用的硅材料,每年将减少1440万吨二氧化碳的排放。
“事实上,日本在氧化镓相关技术方面远远领先于包括韩国在内的竞争对手,”该行业的一位专家向媒体表示,“一旦氧化镓成功商业化,将适用于许多领域,因为它可以比其他材料更大幅度地降低半导体制造成本。”
而在中国,尽管起步较晚,但对于氧化镓的研究也同样不断推进状态中。据国内媒体报道,在去年举行的全国 科技 活动周上,北京镓族 科技 公司公开展示了其研发的氧化镓晶胚、外延片以及基日盲紫外线探测阵列器件。
此外,中国电科46所采用导模法成功已制备出高质量的4英寸氧化镓单晶,其宽度接近100mm,总长度达到250mm,可加工出4英寸晶圆、3英寸晶圆和2英寸晶圆。经测试,晶体具有很好的结晶质量,将为国内相关器件的研制提供有力支撑。
尽管目前中国半导体行业已经有所进步,华为海思芯片也已经成为处于全球领先水平,中芯国际集成电路的IC制造工艺也已经稳居国内榜首,但是相比国际水平来说还是有很大差距。Gartner发布的2018年全球半导体营收25强榜单显示,中国大陆仅华为海思半导体入榜,排名第21位。虽然日本半导体行业有所落寞,但目前包括东芝、索尼在内的半导体企业仍然处于全球领先水平。
Yuanta Research发布的报告显示,2018年全球CMOS图像传感器的市场规模为137亿美元,其中索尼市占率为49.9%,排名第一,远超第二名三星19.6%的市占率。而不得不说的是,在全球CMOS生产上,无论三星还是我国其他企业,在原材料和机器设备上都离不开日本企业的支持。
氟化聚酰亚胺和光刻胶用于OLED面板生产,其中,光刻胶是显示面板生产工程中曝光工程上的必需材料;氟化聚酰亚胺是透明CPI膜的原材料;光刻胶主要是用于半导体光刻和蚀刻工艺,这三大材料日本基本垄断了全球主要产能。
因此,如果日本对我国限制出口,那么,我国不能说与韩国受到如此大的震动,但是影响肯定有的。但是日本基本不太可能对我国实行贸易限制,因为中国为日本的最大进口国之一,与中国打贸易战基本是自断后路,一损俱损的状态。随着我国半导体技术的不断发展,相信不久后中国就能突破技术壁垒,不再依赖外国进口。
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