半导体材料的元素位于

半导体材料是由一系列元素组成的，其中包括碳（C）、氮（N）、氧（O）、硅（Si）、磷（P）、硫（S）、砷（As）、硒（Se）、锗（Ge）、锡（Sn）、铜（Cu）、铋（Bi）、铝（Al）、钼（Mo）、钨（W）、铍（Be）、钒（V）、钴（Co）、钛（Ti）、钙（Ca）、锆（Zr）、铌（Nb）、镁（Mg）、铬（Cr）、钼（Mn）、钽（Ta）、铷（Rb）、锶（Sr）、钇（Y）、铯（Cs）、钆（Gd）、锆（Zn）、铪（Hf）、钼（Hg）、铊（Tl）、铯（Pb）、铋（Bi）、锇（Os）、钌（Ir）、钯（Pd）、铑（Rh）、钌（Ru）、铱（Yb）、铂（Pt）、钯（Au）、铑（Hg）、钐（Tm）、钆（Gd）、铕（Er）、钆（Tb）、铽（Dy）、镝（Ho）、钬（Lu）、锝（Tm）、钆（Yb）、锆（Lu）、钋（Th）、钍（U）、钚（Np）、铀（Pu）、钐（Am）、钫（Cm）、镭（Lr）等。

AS

英文名： Arsenic

中文名： 砷

原子序号：33

折射率：(solid) 1.001552

原子化焓：kJ /mol @25℃301.3

体积d性模量：GPa22

热容：J /（mol· K）24.64

导电性：10^6/(cm ·Ω )0.0345

导热系数：W/（m·K） 50.2

汽化热:(千焦/摩尔) 34.760

元素在宇宙中的含量:(ppm)0.008

相对原子质量： 74.9216

常见化合价： -3,+3,+5

电负性： 2.2

外围电子排布： 4s2 4p3

核外电子排布： 2,8,18,5

同位素及放射线： As-71[2.7d] As-72[26h] As-73[80.3d] As-74[17.8d] As-75 As-76[26.3h] As-77[39h] As-79[9m]

电子亲合和能： 78.3 KJ·mol-1

第一电离能： 944 KJ·mol-1

第二电离能： 1797.8 KJ·mol-1

第三电离能： 2735.5 KJ·mol-1

单质密度： 5.72 g/cm3

单质熔点： 817.0 ℃

单质沸点： 613.0 升华 ℃

原子半径： 1.33 埃

离子半径： 0.58(+5) 埃

共价半径： 1.2 埃

常见化合物： AsH3 As2O3 As2O5 H3AsO4 As2S3 H3AsO3 As4S4

发现人： 远古就被发现

时间： 0

地点： 未知

名称由来： 希腊文：arsenikon；拉丁文：arsenicum（都是黄色染料的名字）。

元素描述： 铁灰色，松脆，介于金属和非金属间。 元

素来源： 见于毒砂（砷黄铁矿）中。

元素用途： 大部分砷的化合物都有致命的毒性，可用作除草剂和灭鼠药。有导电性，可制半导体。砷的某些化合物--叫做砷化物--用来制造油漆、墙纸和陶瓷。

详细说明如下：

1. 砷作合金添加剂生产铅制d丸、印刷合金、黄铜(冷凝器用)、蓄电池栅板、耐磨合金、高强结构钢及耐蚀钢等。黄铜中含有重量砷时可防止脱锌。

2. 高纯砷是制取化合物半导体砷化镓、砷化铟等的原料，也是半导体材料锗和硅的掺杂元素，这些材料广泛用作二极管、发光二极管、红外线发射器、激光器等。

3. 砷的化合物还用于制造农药、防腐剂、染料和医药等。

Pb

中文名： 铅

体积d性模量：GPa 46

原子化焓：kJ /mol @25℃ 铅

194.6

热容：J /（mol· K） 26.650

导热系数：W/（m·K） 35.3

导电性：10^6/（cm ·Ω ） 0.0481

熔化热：（kJ/mol） 4.799

汽化热：（kJ/mol） 177.70

元素在宇宙中的含量:(ppm) 0.01

相对原子质量： 207.2

常见化合价： +2,+4

电负性： 1.6

外围电子排布： 6s2 6p2

核外电子排布： 2,8,18,32,18,4

同位素及放射线： Pb-202[53000y] Pb-203[2.16d] Pb-204 Pb-205[1.5E7y] Pb-206 Pb-207 *Pb-208 Pb-209[3.25h] Pb-210[22.3y] Pb-211[36.1m] Pb-212[10.64h] Pb-214[27m]

电子亲合和能： 101.3 KJ·mol-1

第一电离能： 716 KJ·mol-1

第二电离能： 1450 KJ·mol-1

第三电离能： 3081 KJ·mol-1

单质密度： 11.34 g/cm3

单质熔点： 327.5 ℃

单质沸点： 1740.0 ℃

原子半径： 1.81 埃

离子半径： 1.19(+2) 埃

共价半径： 1.47 埃

常见化合物： Pb3O4 PbO PbO2 ：

名称由来： 盎格鲁-撒克逊语：lead（铅）；

元素符号来自拉丁文“plumbum”。

元素描述： 铅

有光泽的蓝白色金属，非常柔软，极易延展。

元素来源： 最常见于被称之为方铅矿或硫化亚铅(PbS)的矿物中，偶尔也能发现游离态的铅。

元素用途： 用于焊接、防辐射，也用于制造电池。

三极管的极性用字母表示，B级为基极，C表示集电极，E表示发射极。

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。

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