什么是宽带隙半导体材料

宽带隙半导体，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

半导体和绝缘体之间本身就没有绝对的界限，不同情况下可以有不同说法，比如一些氧化物：ZnO2(4.9eV)、TiO2(3.2eV)等等的，这些氧化物在一般情况下完全可以把它们看做绝缘体看待，但有些情况，比如可以用他们制成气敏传感器、某些MOS器件等等的，这里就把它们当做半导体来看待了。不需要区分的那么清楚。

近期半导体怎么就突然走强，要从下面这个政策说起：

一直以来美国依靠创始地位，在芯片设计、制造领域有巨大的优势。一个市场数据：美国设计的芯片占了54%的市场份额，中国仅仅占了3%。另外在芯片制造领域，美国EDA软件、材料、设备的优势更大。世界唯一的光刻机巨头荷兰ASML也受控于美国，所以此前中国采购最先进的EUV光刻机被迫中止。所以近年来芯片 科技 之战主要在于芯片，台积电、中芯国际都受到美国的影响。

随着物联网、大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展，对半导体器件的需求日益增长，对器件可靠性与性能指标的要求也更加严苛。以碳化硅为代表的第三代半导体开始逐渐受到市场的重视，国际上已形成完整的覆盖材料，器件，模块和应用等环节的产业链，全球新一轮的产业升级已经开始。

目前，我国集成电路产业和软件产业快速发展。中国是世界最大的集成电路产品消费市场，也是全球集成电路产业的发展的重要支撑。

半导体是计算机、通信、电子等产品的核心组成部分。中国大陆已是全球最大的半导体市场，大力发展半导体产业成为中国的电子信息产业稳定发展的关键。

据了解，半导体第一代材料是硅(Si)，如硅谷，是第一代产业园的代表；第二代材料是砷化镓(GaAs)，是目前绝大部分通信设备的材料；第三代材料是指禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料，是未来5G时代的标配，同时在新能源 汽车 、消费电子、新一代显示、航空航天等领域也有重要应用。

针对基金分散投资的原则，部分公募会对投资全市场基金设置行业配置不超30%的上限要求。部分中小公司可能会在规模和业绩考核压力下，投资风格出现短期化和激进的表现。不过，从 历史 经验看，做行业轮动的基金长期业绩没有很好的。

还是建议投资者根据自身的风险偏好和投资偏好去选择市场上的投资工具，每个人的资产配置不一样，成长类基金面临高波动、高收益等特点，这很重要。

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