就是在四价的半导体内加入导电的元素,比如在硅,锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性,加入的愈多,半导体材料的导电性越强。以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂。
轻掺杂和重掺杂一般同时出现在一个器件里的,因为轻重掺杂的费米能级不一样,所以设计器件的时候有的时候把相同的半导体材料掺杂到不同的浓度实现功能。
扩展资料:半导体的特性:
1,半导体的电阻率随温度上升而明显下降,呈负温度系数的特性,半导体的导电能力随温度的增高而显著增强,有些半导体对温度的反映特别的灵敏,通常利用这种半导体做成热敏元件。
2,十导体的电阻率随光照的不同而改变-半导体的导电能力随光照强度的变化而变化;有些半导体当光照强度很大时变化很大,例如硫化镉薄膜,当无光照时,它的电阻达到几十兆欧姆,是绝缘体;而受到光照时,其电阻只有几十千欧姆。利用半导体的这种特性,我们可以做成各种光敏元件。
3,半导体的电阻率与所含微量杂质的浓度有很大关系,如果在纯净的半导体中掺人微量的其他元素(通常称作掺杂),半导体的导电能力会随着掺杂浓度的变化而发生显著的变化。
尊敬的用户,轻掺杂漏注入工艺是一种常用的半导体器件制造工艺,它的优势主要体现在以下几个方面:首先,轻掺杂漏注入工艺可以提高器件的性能。通过在器件中加入轻掺杂材料,可以增加器件的导电性和导热性,从而提高器件的性能和可靠性。
其次,轻掺杂漏注入工艺可以提高器件的稳定性。由于轻掺杂材料的加入,可以减少器件中的缺陷和杂质,从而提高器件的稳定性和可靠性。
再次,轻掺杂漏注入工艺可以提高器件的制造效率。相比于其他制造工艺,轻掺杂漏注入工艺具有制造周期短、成本低等优势,可以大大提高器件的制造效率。
最后,轻掺杂漏注入工艺可以提高器件的可靠性。通过在器件中加入轻掺杂材料,可以减少器件中的应力和热应力,从而提高器件的可靠性和寿命。
总之,轻掺杂漏注入工艺是一种非常优秀的半导体器件制造工艺,可以提高器件的性能、稳定性、制造效率和可靠性,因此在半导体器件制造领域得到了广泛的应用。
半导体材料主要做半导体器件,构成电路,有的还可以做成发光的LED轻掺杂和重掺杂一般同时出现在一个器件里的,因为轻重掺杂的费米能级不一样,所以设计器件的时候有的时候把相同的半导体材料掺杂到不同的浓度实现功能
单独问轻掺杂应用没法回答
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