epoll的两种触发模式ET、LT

epoll的两种触发模式分别是ET(edge trigger)边缘触发和LT(level triggered)水平触发。

epoll的默认触发模式是LT，select、poll都是LT触发。

缓冲区只要有数据未读就会导致epoll_wait返回。

上次读数据未读完仍会导致epoll_wait返回。

水平触发模式下阻塞和非阻塞并没有什么区别，因为没有可读时间就绪的话epoll_wait不会返回。

缓冲区出现新未读数据才会导致epoll_wait返回。

上次读数据未读完不会导致epoll_wait返回。

边缘触发模式下事件就绪只会通知一次，为了保证数据成功被读取或写入，在非阻塞模式下，采用循环的方式进行读写，直到完成或出现异常时退出。

如果不采用循环的方式进行读写，就会造成数据读/写不完的情况，因为下一次再调用epoll_wait就不会再通知了，所以职能采用循环的方式进行读写。但是如果尝试采用循环的方式进行读写，则会造成永久阻塞。

造成阻塞的原因只有没有数据可读/可写，在非阻塞模式下出现没有数据可读/可写可以返回相应的错误信息设置errno(EWOULDBLOCK)，但是阻塞模式就会进入阻塞状态，而处理的该fd永远也不可能再有可读数据了，所以就被永久阻塞了。

EPOLLLT——水平触发EPOLLET——边缘触发

epoll有EPOLLLT和EPOLLET两种触发模式，LT是默认的模式，ET是“高速”模式。LT模式下，只要这个fd还有数据可读，每次 epoll_wait都会返回它的事件，提醒用户程序去 *** 作，而在ET（边缘触发）模式中，它只会提示一次，直到下次再有数据流入之前都不会再提示了，无 论fd中是否还有数据可读。所以在ET模式下，read一个fd的时候一定要把它的buffer读光，也就是说一直读到read的返回值小于请求值，或者 遇到EAGAIN错误。

4。氮化物半导体的导电控制4.1。蓝色发现的p -型导电交界的n氮化镓GaN和实现的P -发光二极管没有成功，许多团体试图制造p型氮化镓但。随着氮化镓晶体质量控制成功的，我们就可以开始工作，在p型掺杂。使用的LT - AlN缓冲层，密度氮化镓残余捐助也大幅下降如上所述。但在上尽管一再努力锌掺杂，它不可能产生p型氮化镓。 1987年，我们发现，发光强度锌有关的大量增加时，高品质的锌掺杂的GaN层与成长的LT - AlN缓冲了电子束照射在阴极发光（CL）的测量[21]。我们认为这种现象（称为电子束的影响）[21]可能是密切相关的传导与活化锌，因此与受体PTYPE的。但晶体并没有显示p型传导。与此同时，在1988年，我们注意到，可能是受体镁锌浅比，因为它的电是]大22比锌[。 1989年，我们成功地在镁掺杂高品质氮化镓使用镁掺杂Cp2Mg或MCP2Mg作为一个同时保持AlN缓冲层技术的高品质结晶使用的LT - [23]。然后镁掺杂GaN样品进行照射用电子束在掺杂样品一样的锌。我们发现效果大大提高电子束蓝色发光这些Mgdoped氮化镓样品（部门）以及低电阻率的样品是p型氮化镓[24]。随即，我们实现了世界上第一个氮化镓的p - n结蓝/紫外发光二极管令人鼓舞的I - V特性于1989年[24]，如图所示研究。 5。我们实现了p型氮化铝镓在1991年[25]和p型GaInN在1995年[26]以相同的方式。 1992年，PTYPE的氮化镓也产生Mgdoped氮化镓铝热退火成长与缓冲层，中村等的LT - GaN的。 [27]。后来，p型氮化镓紫外得到[28]或电磁波辐射[29,30] 400集成电路在高温下。为了实现p型氮化物，就必须激活[31镁受体释放氢气，32]。但是，我们首先要大幅度降低钝化受体的剩余供氢之前解决相关的问题。

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