二极管雪崩击穿时间

30ps。雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件，击穿时间是从30ps到2ms。整流二极管掺杂浓度没有这么高，PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。

反向电场加大后,载流子动能加大,击穿了半导体的共价键,原本形成共价键的电子获得自由,这是击穿的原因之一.

原因之二,随着电场的加大,参杂物质向pn结的另一端运动,位移过大取代了另一个极性的掺杂物或原子,无法复位,使得pn结两端的参杂物互相污染,破坏了半导体的极性,表现出击穿效果.

而稳压管之所以击穿后能还能正常工作,在于载流子能够复位,如果不能复位,稳压管就损坏了.

个人看法,仅供参考.

这个说法是不准确。首先雪崩击穿和热击穿发生机理不同；热击穿是因为热而导致电流增大从而损坏；而雪崩击穿是因为反偏电压高而产生雪崩倍增效应从而导致损坏。 半导体器件雪崩击穿发生之后，继续增加电压电流，器件由于热而导致烧毁（而不是热击穿，此时未必发生热击穿）。另外雪崩击穿造成器件失效，失效的原因不是只有一个热的原因，还有的因为由于雪崩击穿而造成器件其他电特性参数变差。

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