1，分别画出本征半导体和n型半导体的能带图，并简要解释其导电机理。

只能回答第1题，没做过ccd本征半导体：你把费米能级画在带隙中央就行了，n型的话把费米能级画在带隙上方靠近导带的地方对于本征半导体，只有热激发的那可怜的一点点电子空穴可以导电，所以电导率很低。n型的话由于杂质带来很多的电子，远远远远地大于本征热激发那部分，因此导电主要靠那些电子，电导率较高，掺得越多(一定限度下)电导率越高。

下面以光谱测试法为例介绍半导体材料光学带隙的计算方法:

对于半导体材料，其光学带隙和吸收系数之间的关系式为[]:

ah v -B0HEg)u ( 1) .

其中a为摩尔吸收系数, h为普朗克常数，v为入射光子频率，B为比例常数，Eg

为半导体材料的光学带隙，m 的值与半导体材料以及跃迁类型相关:

推导1:根据朗伯比尔定律可知:

A=ab c?(2)

其中A为样品吸光度，b 为样品厚度，c为浓度，其中be为一常数，若

B1=(B/be)1/m，则公式(1)可为:

(Ahv1)m=B1(hv-Eg) (3)

根据公式(3)，若以hv值为x轴，以(Ah v )1/m值为y轴作图，当y=0时，反向延

伸曲线切线与x轴相交，即可得半导体材料的光学带隙值Eg。

禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带结构，即与晶体结构和原子的结合性质等有关。禁带 宽度的大小实际上是反映了价电子被

束缚强弱程度的一个物理量，也就是产生本征激发所需要的最小能量。

禁带宽度可以通过电导率法和光谱测试法测得,为了区别用电导率法测得禁带宽度值，用光谱测试法测得的禁带宽度值又叫作光学带隙。

为了区别用电导率法测得的禁带宽度，用光吸收法测得的禁带宽度又叫光学带隙。

本征吸收过程吸收光的能量大于等于带隙的大小。可以通过吸收光的能量求算带隙。

紫外可见分光计的定量基础是朗伯比尔定律：吸光度与厚度呈正比。

对于半导体吸收边和吸收系数呈一定的关系：aE=A(E-Eg)m；两边同时取对数：ln(aE)=lnA+mln(E-Eg)

m的取值和半导体带隙的种类有关；A是常数，所以（aE）1/m与hv作图可以得到吸收边，吸收边延长至aE=0处可以得到光学带隙Eg

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