因为二氧化硅被广泛用于半导体元器件的保护层和钝化层,在含氧气的环境下,氧分子将通过一层边界层到达二氧化硅的表面,并与硅原子反应生成二氧化硅,与此同时,氧化剂扩散的方式通过二氧化硅与硅原子反应生成新的二氧化硅层,从而使得二氧化硅的膜不断生成增厚。
扩散炉是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一,用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。
单点温度精度及稳定性、恒温区的长度及均匀度等。表征扩散炉的性能主要和温度有关,关键的指标共有两个,包括单点温度精度及稳定性、恒温区的长度及均匀度等。扩散炉是研制生产晶体管、可控硅和集成电路等半导体器件的工艺设备之一,主要用于扩散和氧化等工序。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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