提高激光器的调制带宽,可以采取以下措施:
①有源区采用应变(抵偿)多量子阱结构-量子阱激光器阱材料由于在平行于阱面方向受到双轴压应变和垂直于阱面方向的拉伸应变,其价带顶的重空穴能级上升,而且这种价带发生退简并,使电子从自旋轨道分裂带向重孔穴带的跃迁几率近似等于零,使室温下的俄歇复合几率减小,从而导致这种量子阱激光器的阈值电流下降,线宽增强因子减小以及弛豫振荡频率、调制带宽、微分增益系数显著提高。
②有源区p型掺杂 p型掺杂可减小穿过SCH区域时的空穴输运,这对高速量子阱器件是主要的限制p型掺杂可以得到非常高的微分增益,并且使量子阱中载流子的分布更加均匀。 若有源区Zn掺杂浓度接近1018cm-3时,其3dB带宽可达25GHz而且掺杂还可使器件的振荡频率增加到30GHz腔长为300μm此外,重掺杂还有利于降低线宽增强因子和进一步提高微分增益,这些都有利于提高器件的调制特性。
③降低电学寄生参数-为了降低高速激光器的电学寄生参数,尤其是寄生电容,可采用半绝缘Fe-InP再生长掩埋技术,同时还需减小电极面积采用自对准窄台面结构(SA -CM以减小器件的寄生电容。人们还常利用填充聚酰亚胺的方法来减小寄生电容。
④提高激光器内部光子浓度和微分增益-增加激光器腔内的光子浓度,可增加本征谐振频率。利用DFB结构使激射波长与增益峰波长为负失谐(-10nm可以提高微分增益,这些都可以增加-3dB调制带宽。 以上分析了限制半导体激光器高速调制特性的因素以及提高激光器调制带宽的途径,这些因素之间与其静态特性之间是相互影响的所以在设计高速激光器时,还需考虑其他特性,如阈值、温度特性等。
Q: 半导体线宽指的是什么 :半导体线宽是指在半导体器件中物理上的线宽,它是指电子元件的芯片表面上的一条横向连续的路径,由于电子元件的尺寸有限,因此线宽的大小往往决定了电子元件的性能。
半导体是 科技 股的核心,自从中美贸易战以来,美帝对中国的打压主要就是围绕 科技 打压。先后制裁了中兴通讯,华为,中芯国际等国内 科技 龙头公司。而国家也开始意识到实现国产替代的重要性,先后成立了一期二期大基金斥资上千万扶持 科技 公司,把集成电路也写进了十四万规划,在各地方政府出台的十四五规划里面都有集成电路的身影,所以半导体也获得了诸多机构主力的偏爱,尤其是从去年年底以来各大 汽车 公司因为芯片的短缺开始停产,所以芯片扩产可以说是当下重中之重。
产能的扩展离不开半导体设备跟半导体材料,这个从大基金投资的方向也能看出一二,那怎么今天主要讲的就是半导体设备,国内半导体设备本身不是很多,其中总龙头北方华创股价自09年以来从50涨到400多翻8倍多,刻蚀机设备龙头中微公司也有不小的涨幅,另外还有华锋测控,长川 科技 ,万业企业这种主营房地产的公司因为收购了离子注入机的分公司股价也被大力炒上天,最近二期大基金开始投资至纯 科技 ,至纯 科技 也是一家给中芯国际供货的正宗半导体设备供应商,随着二期大基金的投资估计股价还要高看一线,但是今天我们重点要讲的不是这些,这些已经被市场大力炒作过,股价也早已涨上天,今天要说的这个是精测电子。
精测电子主营显示面板,半导体,新能源锂电池和燃料电池检测系统设备。他的上海精测和武汉精鸿分别负责半导体前道检测设备领域,后道测试设备领域。今年7月份上海精测电子国内首台12寸独立式光学线宽测量设备与国内唯一12寸全自动电子束晶圆缺陷复查设备顺利出机给中芯国际,而且上海精测电子是精测电子跟国家大基金一起出资成立,大基金占比大概12%。
整个半导体设备类的个股可以说都有不小的涨幅了,基本都开始创新高,精测电子在中报中显示国家社保基金也进场了,这波半导体行情当中,精测电子会不会像个半导体设备一样真正起飞呢?我们拭目以待
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