半导体带隙范围小

半导体带隙范围小,第1张

导体,半导体,绝缘体,通过能带理论区分的话,是根据带宽来区分的,也就是说倒带到价带之间的宽度,这个称谓带隙。导体的导带一般为半满或者空大,价带中的电子可以通过带隙到导带,因此称谓导体;绝缘体的倒带一般为满带,且带隙一般大于3.6ev,因此不能够形成电子的迁移;对于半导体导带一般为空带,但是带隙较窄一般为0.5-3.6ev,在有杂质能级或者物理场的作用下可以形成电子迁移,这个称谓半导体。

越大越好。宽带隙半导体,是指室温下带隙大于2.0电子伏特的半导体材料。从物理学上带隙越宽,其物理化学性质就越稳定,抗辐射性能越好,寿命越长,与此相对应,带隙宽的一个缺点是这种材料对太阳光的吸收较少,光电转换效率低。

一、直接带隙半导体材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量。

二、间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量

三、间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。电子在k状态时的动量是(h/2pi)k,k不同,动量就不同,从一个状态到另一个必须改变动量。

扩展资料:

一、半导体激光器又称激光二极管,是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异,不同种类产生激光的具体过程比较特殊。

二、常用工作物质有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。

三、 半导体二极管激光器是最实用最重要的一类激光器。它体积小、寿命长,并可采用简单的注入电流的方式来泵浦其工作电压和电流与集成电路兼容,因而可与之单片集成。

四、半导体激光器件,可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。同质结激光器和单异质结激光器在室温时多为脉冲器件,而双异质结激光器室温时可实现连续工作。

五、并且还可以用高达GHz的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。由于这些优点,半导体二极管激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面以及获得了广泛的应用。

参考资料:

能带结构---百度百科


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