光电检测器件的频率响应与半导体的什么特性有关?

光电检测器件基本上就是pn结二极管（Si、Ge、pin结光电二极管）。其频率响应主要决定于pn结势垒电容（电容越大，响应速度就越慢）；这与半导体的掺杂浓度有关，也与pn结面积有关。掺杂浓度越高，势垒厚度越薄，则势垒电容就越大；pn结面积越大，势垒电容就越大。

pin结光电二极管的势垒电容很小，故响应速度较快；但是，如果其中i型层太厚的话，则光生载流子渡越i型层的时间太长，反而又影响到响应速度。

半导体公司的产品多是基础元件如晶体管（计算机中最基础的组件），以此延伸的终端则涉及各个领域，通讯、科研、计算机、航天等都有。

半导体另一种产品就是太阳能电池板，用于新能源的开发。

光电公司多是致力于绿色光源的开发，节能照明、LED显示、紫外线产品、射线消毒器材等与光线有关的都是光电科技公司的发展领域及产出产品。

但我想提一下，光电科技公司不是光电效应的应用，相关知识上网搜一下就有

光子的频率ν，电离能E，禁带宽度Eg，真空能级χ

金属的外光电效应的频率由金属的电离能决定，hν<E时，无光电子放出且没有吸收峰，hν＞E时，放出光电子，继续增加频率，电子动能增大

半导体的外光电效应，当光的频率hν=Eg时，会有一个吸收峰，但是没有光电子放出，继续增加频率，hν=E时，开始放出光电子，继续增加频率，电子动能增大

也就是说因为金属电离能E=χ，所以E＜χ时，不吸收光

半导体E=Eg+χ，所以E＜χ时，有一个吸收峰

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