氧化锌的半导体机制是什么呢？（它为什么是n型半导体）？

应该和通常的半导体具有相似的性质.

ZnO也可以制成p型的呀, 只是一般不掺杂特殊的p型杂质(比如氮或者磷)的话, 其中非故意掺杂的氧是一种施主杂质, 所以通常是n型的半导体.

直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置.电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量. 间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置.形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量. 间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置.电子在k状态时的动量是（h/2pi）k,k不同,动量就不同,从一个状态到另一个必须改变动量.

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