国家标准CSBTSTC 是什么意思啊？？？

第六章 附 则

第三十六条 每个技术委员会均应冠以专业名称。技术委员会和分技术委员会代号分别冠以TC、SC，对外可用CSBTS／TC×××，CSBTS／TC××／SC××，各技术委员会和分技术委员会的顺序号由国务院标准化行政主管部门编注。

全国专业标准化技术委员会章程

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http://www.sina.net 2005年12月19日 17:02 中国信息验证网

发布机构：国家技术监督局

发布日期：1990.08.20

生效日期：1990.08.20

第一章 总 则

第一条 根据《中华人民共和国标准化法》的有关规定，制定本章程。

第二条 为了充分发挥生产、使用、科研、教学和监督检验、经销等方面专家的作用，更好地开展各专业技术领域的标准化工作，国务院标准化行政主管部门统一规划和组建全国专业标准化技术委员会(简称技术委员会，下同)。

第三条 技术委员会是在一定专业领域内，从事全国性标准化工作的技术工作组织，负责本专业技术领域的标准化技术归口工作，所负责的专业技术领域，由国务院标准化行政主管部门会同有关行政主管部门确定。

第四条 属于综合性的、基础的和涉及部门较多的技术委员会，由国务院标准化行政主管部门领导和管理；属于产品方面的技术委员会，由国务院标准化行政主管部门委托有关主管部门负责领导和管理。国务院标准化行政主管部门根据有关主管部门领导和管理技术委员会的工作情况，必要时，可对委托的主管部门进行调整。

第二章 工作任务

第五条 遵循国家有关方针政策，向国务院标准化行政主管部门和有关行政主管部门提出本专业标准化工作的方针、政策和技术措施的建议。

第六条 按照国家制定、修订标准的原则，以及采用国际标准和国外先进标准的方针，负责组织制订本专业标准体系表，提出本专业制定、修订国家标准和行业标准的规划和年度计划的建议。

第七条 根据国务院标准化行政主管部门和有关行政主管部门批准的计划，协助组织本专业国家标准和行业标准的制定、修订和复审工作。

第八条 组织本专业国家标准和行业标准送审稿的审查工作，对标准中的技术内容负责，提出审查结论意见，提出强制性标准或推荐性标准的建议。

第九条 受标准制定部门的委托，负责组织本专业的国家标准和行业标准的宣讲、解释工作；对本专业已颁布标准的实施情况进行调查和分析，作出书面报告；向国务院标准化行政主管部门和有关行政主管部门提出本专业标准化成果奖励项目的建议。

第十条 受国务院标准化行政主管部门委托，承担国际标准化组织和国际电工委员会等相应技术委员会对口的标准化技术业务工作，包括对国际标准文件的表态，审查我国提案和国际标准的中文译稿，以及提出对外开展标准化技术交流活动的建议等。

第十一条 受国务院有关行政主管部门委托，在产品质量监督检验、认证和评优等工作中，承担本专业标准化范围内产品质量标准水平评价工作。受国务院有关行政主管部门委托，可承担本专业引进项目的标准化审查工作，并向项目主管部门提出标准化水平分析报告。

第十二条 在完成上述任务前提下，技术委员会可面向社会开展本专业标准化工作，接受有关省、市和企业的委托，承担本专业地方标准、企业标准的制定、审查和宣讲、咨询等技术服务工作。

第十三条 受国务院标准化行政主管部门及有关行政主管部门委托，办理与本专业标准化工作有关的其他事宜。

第三章 组织机构

第十四条 技术委员会的组成应以生产、使用、科研、经销等方面的科技人员为主体，其中，各级行政管理机构的科技管理人员一般不得超过八分之一，使用和经销方面的科技人员不得少于四分之一。

每届技术委员会委员任期为五年。

技术委员会的组成方案，由国务院标准化行政主管部门审查批准。

第十五条 技术委员会一般设委员二十五人左右，分技术委员会设委员二十人左右，其中主任委员一人，副主任委员一至三人，秘书长一人，必要时可设副秘书长一人。正副主任委员和正副秘书长以及委员应由在职工作人员担任，分技术委员会的主任委员一般应由技术委员会委员担任。需要时可聘请在本专业享有盛誉的专家、学者一至三人担任技术委员会的顾问。

第十六条 技术委员会委员(简称委员，下同)应由本专业生产、使用、经销、科研、教学和监督检验等方面具有较高理论水平和较丰富实践经验，熟悉和热心标准化工作，能积极参加标准化活动，具有中级以上技术职称的科技人员担任。正副主任委员、正副秘书长、委员和顾问的产生，由国务院有关行政主管部门推荐，其中正副主任委员和正副秘书长应各有一名从秘书处所在单位推荐，国务院标准化行政主管部门审核后聘任，颁发聘书。委员可以连聘连任。对不履行职责，无故两次以上不参加技术委员会活动，或经常不能参加技术委员会活动及因工作变动，不适宜继续担任委员者，技术委员会可提请有关主管部门重新推荐人选，报国务院标准化行政主管部门另行聘任。

委员应积极参加技术委员会的工作(如对本专业技术标准的审查，对国际标准提案提出意见等)。委员在本技术委员会内有表决权，有权获得本技术委员会的资料和文件。

第十七条 技术委员会可设单位委员，单位委员人数包括在委员总数中，但不得超过委员总数的三分之一。

在本专业有关的企业、事业单位中，技术力量较强、标准化工作较突出的单位，可提出申请作为单位委员，其代表须经国务院有关行政主管部门推荐，由国务院标准化行政主管部门审核、聘任、颁发聘书。

单位委员应选派具有中级以上职称、从事本专业工作的技术人员为代表参加技术委员会的工作。单位委员的代表在本技术委员会内有表决权，并有权获得技术委员会的资料和文件。

第十八条 技术委员会还可设通讯成员。通讯成员由本专业有关的企业、事业单位提出申请，技术委员会批准。通讯成员人数不限。

通讯成员的代表可被邀请列席技术委员会的会议，发表意见、提出建议，但无表决权。通讯成员有权获得本技术委员会的资料和文件。

第十九条 单位委员和通讯成员应向技术委员会交纳信息、资料费，交费办法由各技术委员会规定，技术委员会主管部门批准。

第二十条 技术委员会下设秘书处。秘书处应设在本专业标准化技术归口单位，或有能力承担秘书处工作的单位。该单位受国务院标准化行政主管部门和技术委员会的主管部门委托，领导和管理秘书处的工作，委派工作人员担任秘书，为秘书处提供必要的工作条件。秘书处的工作应纳入该单位的工作计划。

秘书处在技术委员会主任委员和秘书长领导下，负责处理技术委员会的日常工作。技术委员会和秘书处的印章，由国务院标准化行政主管部门颁发。必要时，技术委员会主管部门和国务院标准化行政主管部门可对秘书处承担单位进行调整。

第二十一条 专业范围较宽的技术委员会可建立分技术委员会。分技术委员会的设置和组建，由技术委员会的主管部门与国务院有关行政主管部门协商提出方案，报国务院标准化行政主管部门批准。

分技术委员会应遵守本章程。分技术委员会委员聘书由国务院标准化行政主管部门颁发。分技术委员会及秘书处印章，由技术委员会的主管部门颁发。

各分技术委员会工作由技术委员会进行领导和协调。

分技术委员会，应定期向主管部门和技术委员会报告工作。

第二十二条 根据工作需要，技术委员会可建立标准制定工作组(简称工作组，下同)，负责标准的制定、修订的具体工作。

第二十三条 国务院标准化行政主管部门和技术委员会的主管部门，派联络员负责与技术委员会保持联系。

专业范围有交叉，或专业范围联系较密切的技术委员会，可互派联络员参加技术委员会的活动，以加强彼此工作的协调。

第四章 工作程序

第二十四条 技术委员会根据国务院标准化行政主管部门和有关行政主管部门编制制定、修订标准计划的要求，提出国家标准或行业标准制定、修订计划项目的建议。行业标准的计划建议，报行业标准归口部门和有关行政主管部门，经行业标准归口部门协调后列入行业标准制定、修订计划。国家标准的计划建议报技术委员会主管部门、国务院有关行政主管部门和国务院标准化行政主管部门，经协调后，

列入国家标准制定、修订计划。

第二十五条 技术委员会根据国务院标准化行政主管部门和有关行政主管部门下达的计划，协助组织计划的实施，指导和督促分技术委员会、工作组或标准主要负责起草单位进行标准的制定、修订工作。

第二十六条 工作组或标准主要负责起草单位在调查研究、试验验证的基础上，提出标准征求意见稿(包括附件)，分送技术委员会有关委员以及有代表性的单位和个人征求意见，征求意见时间一般为两个月。工作组或标准主要负责起草单位对所提意见进行综合分析后，对标准进行修改，提出标准送审稿，报秘书处。

第二十七条 秘书处将标准送审稿送主任委员初审后，提交全体委员进行审查(可用会议审查、也可用函审)。

秘书处应在会议前一个月或投票前两个月，将标准送审稿(包括附件)提交给审查者。审查时原则上应协商一致。如需表决，必须有全体委员的四分之三以上同意，方为通过(会审时未出席会议，也未说明意见者，以及函审时未按规定时间投票者，按弃权计票)。

对有分歧意见的标准或条款，须有不同观点的论证材料。

审查标准的投票情况应以书面材料记录在案，作为标准审查意见说明的附件。

第二十八条 审查通过的标准送审稿，由工作组或标准主要负责起草单位根据审查意见进行修改，按要求提出标准报批稿及其附件，送技术委员会秘书处。

工作组或标准主要负责起草单位应对标准报批稿的技术内容和编写质量负责。

第二十九条 标准报批稿经秘书处复核，秘书长签字后，送主任委员或其委托的副主任委员审核签字报下达标准项目计划的主管部门审核。国家标准报国务院标准化行政主管部门，行业标准报行业标准归口部门，批准发布。

分技术委员会审查通过的标准报批稿，送技术委员会秘书处按本条规定的程序办理。

技术委员会对分技术委员会审查通过的标准报批稿，有权提出复议和修改意见。

第三十条 技术委员会一般每年召开一次年会(可与审查标准结合进行)，总结上年度工作，安排下年度计划，检查经费使用情况等。技术委员会应每年向国务院标准化行政主管部门及其主管部门书面报告一次工作。

第五章 经 费

第三十一条 技术委员会的活动经费按照专款专用的原则筹集和开支。

第三十二条 技术委员会的活动经费由以下几方面提供：

(一)国务院标准化行政主管部门和有关行政主管部门提供的活动经费；

(二)单位委员和通讯成员交纳的费用；

(三)开展本专业标准化的咨询、服务工作的收入；

(四)有关方面对本专业标准化工作的资助。

第三十三条 技术委员会的经费用于以下几个方面：

(一)技术委员会会议等活动经费；

(二)向委员提供资料所需费用；

(三)有条件可对制定、修订标准提供补助；

(四)标准编写审查费。

第三十四条 制定、修订标准所需经费，按财政部的有关规定办理，主要由计划项目的主管部门提供必要的标准补助费。

第三十五条 技术委员会秘书处应指派专人对技术委员会的经费进行管理。经费的预、决算应由技术委员会审定，秘书处执行。秘书处应每年向全体委员作经费收支情况报告，并书面报告技术委员会的主管部门和国务院标准化行政主管部门。

第六章 附 则

第三十六条 每个技术委员会均应冠以专业名称。技术委员会和分技术委员会代号分别冠以TC、SC，对外可用CSBTS／TC×××，CSBTS／TC××／SC××，各技术委员会和分技术委员会的顺序号由国务院标准化行政主管部门编注。

第三十七条 各技术委员会可根据本章程，结合本专业的具体情况，制定本专业技术委员会的章程和秘书处工作细则以及内部的规章制度。

第三十八条 本章程由国家技术监督局负责解释。

第三十九条 本章程自发布之日起实施。原国家标准局1986年10月15日颁发的《全国专业标准化技术委员会章程》即行废止。

CSBTS

SC

技术委员会和

分技术委员会名称

秘书处所在单位

秘书处通讯地址

邮政编码

对应IECTC

TC

1

电压电流等级和频率 机械部机械科学研究院 北京市首都体育馆南路2号 100044

TC8

2

微电机 西安微电机研究所 陕西省西安市西郊桃园路 710077

TC2

8

电工电子产品环境条件与环境试验 广州电器科学研究所 广州市新港西路204 510302

TC50、75

1

机械环境试验 电子部第5研究所 广州市1252信箱 510610

2

气候环境试验 广州电器科学研究所 广州市新港西路204号 510302

9

防爆电气 南阳防爆电气研究所 河南省南阳市 473000

TC31

16

2

电学、磁学量和单位 国家技术监督局计量司单位制办公室 北京市海淀区知春路4号 100088

TC25

23

电声学 电子部第三研究所 北京市743信箱 100015

TC29、60

24

电工电子产品可靠性与维修性 电子部第五研究所 广州市1252信箱 510610

TC56

25

电气安全 中国标准化信息分类编码研究所 北京市朝阳区育慧南路3号 100029

ACOS

26

旋转电机 上海电器科学研究所 上海市武宁路505号 200063

TC2

27

电气文件编制和图形符号 机械部机械科学研究院 北京市首都体育馆南路2号 100044

TC3

1

简图用图形符号 机械部机械科学研究院 北京首体南路2号 100044

SC3A

2

文件编制 电子标准化所 北京1101信箱 100007

SC3B

3

设备用图形符号 邮电工业标准化所 北京新外大街28号 100088

SC3C

4

元器件数据库用数据集 电子标准化所 北京1101信箱 100007

SC3D

36

带电作业 武汉高压研究所 湖北省武汉市武昌关山 430074

TC78

44

变压器 沈阳变压器研究所 辽宁省沈阳市铁西区 110025

TC14

47

印制电路 电子部电子标准化研究所 北京市1101信箱 100007

TC52

60

电力电子学 机械部电力电子技术研究所 陕西省西安市朱雀大街202号 710061

TC22

65

高压开关 西安高压电器研究所 陕西省西安市大庆路8号 710077

TC17A、C

67

电器附件 广州电器科学研究所 广州市新港西路204号 510302

TC23

1

器具开关 上海电动工具研究所 上海市宝庆路10号 200031

68

电动工具 上海电动工具研究所 上海市宝庆路10号 200031

TC61FJ

69

铅酸蓄电池 沈阳蓄电池研究所 沈阳市铁西区北二马路33号 110026

TC21

77

碱性蓄电池 电子部第十八研究所 天津市296信箱 300381

TC21A

78

半导体器件 电子部标准化研究所 北京1101信箱 100007

TC47

1

集成电路 电子部电子标准化研究所 北京1101信箱 100007

TC47

2

半导体分立器件 电子部电子标准化研究所 北京1101信箱 100007

79

无线电干扰 上海电器科学研究所 上海市武宁路505号 200063

CISPR

1

无线电干扰测量与统计方法 电子部电子标准化研究所 北京1101信箱 100007

2

工、科、医射频设备无线电干扰 上海电器科学研究所 上海武宁路505号 200063

3

架空高压线及设备的无线电干扰 武汉高压研究所 湖北省武汉市武昌洪山区 430074

4

5

无线电接收设备干扰特性 电子部第三研究所 北京743信箱 100015

6

电动机、家用电器、照明电器及类似电器的干扰 广州电器科学研究所 广州市新港西路204号 510302

7

系统间电磁兼容 国家无线电频谱管理研究所 西安翠华路115号 710061

8

信息技术设备 电子部电子标准化研究所 北京1101信箱 100007

81

避雷器 西安电瓷研究所 陕西省西安市西郊大庆路 710077

TC37

82

电力远动通信 电力部南京自动化研究院 江苏省南京市323信箱 210003

TC57

89

磁性元件与铁氧体材料 电子部第九研究所 四川省绵阳市105信箱 621000

TC51

90

太阳光伏能源系统 电子部第18研究所 天津市第296信箱 300381

TC82

104

电工仪器仪表 哈尔滨电工仪表研究所 哈尔滨市哈平公路1公里处 150040

TC85、13

1

电能测量和负载控制设备 哈尔滨电工仪表研究所 哈尔滨市哈平公路1公里处 150040

2

模拟指示和数字电表及附件磁测量仪器 哈尔滨电工仪表研究所 哈尔滨市哈平公路1公里处 150040

3

交直流仪器测量电源检验装置和记录电源 上海仪器仪表研究所 上海市龙江路225号 200082

153

电子测量仪器 电子部电子标准化研究所 北京1101信箱 100007

TC44、66

154

继电器、继电保护及自动装置 机械部许昌继电器研究所 河南省许昌市建设路77号 461000

TC95

1

有或无继电器 电子工业部电子标准化研究所 北京1101信箱 100007

2

静态继电保护装置 电力部南京自动化研究院 南京市蔡家巷24号 210003

165

电子设备用阻容元件 电子部电子标准化研究所 北京1101信箱 100007

TC40

1

电阻器 北京第三无线电器材厂 北京554信箱 100015

2

电容器 成都宏明无线电器材厂 四川省成都82信箱 610058

166

电子设备用机电元件 电子部电子标准化研究所 北京1101信箱 100007

TC48

1

低频连接器 华丰无线电器材厂 四川省绵阳204信箱 621000

2

开关 电子部四十所 安徽省蚌埠320信箱 233010

167

电真空器件 电子部电子标准化研究所 北京1101信箱 100007

TC39

176

原电池 中国轻工总会化学电源研究所 江苏省苏州葑门外庄先湾7号 250006

TC35

182

频率控制和选择用压电器件 国营晨星无线电器材厂 北京120信箱 100015

TC49

189

低压电器 上海电器科学研究所 上海武宁路505号 200063

TC17

190

电子设备用高频电缆及连接器 电子部第23所 上海市逸仙路25号 200437

1

射频连接器 电子部电子标准化所 北京1101信箱 100007

2

射频电缆 电子部第23所 上海市逸仙路25号 200437

202

架空线路 电力部电力建设研究所 北京良乡 102401

TC11

205

建筑物电气装置 中国电工设备总公司设计院 北京广安门外莲花河胡同1号 100055

TC64

207

有或无电气继电器 中国电子元器件行业协会 北京石景山路23号 100043

TC94

213

电线电缆 上海电缆研究所 上海市军工路1000号 200093

TC20、7、55

222

互感器 沈阳变压器研究所 沈阳铁西北二中路18号 110025

TC38

224

照明电器 北京电光源研究所 北京市朝外呼家楼 100020

TC34

232

电工术语 机械部机械科学研究院 北京首体南路2号

简介

半导体器件(semiconductor device)通常，利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极体，晶体二极体的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型代表是各种电晶体(又称晶体三极体)。电晶体又可以分为双极型电晶体和场效应电晶体两 类。根据用途的不同，电晶体可分为功率电晶体微波电晶体和低噪声电晶体。除了作为放大、振荡、开关用的 一般电晶体外，还有一些特殊用途的电晶体，如光电晶体、磁敏电晶体，场效应感测器等。这些器件既能把一些 环境因素的信息转换为电信号，又有一般电晶体的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结电晶体可用于产生锯齿波，可控矽可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存 储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波 通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体 器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的套用 。

分类 晶体二极体

晶体二极体的基本结构是由一块 P型半导体和一块N型半导体结合在一起形成一个 PN结。在PN结的交界面处，由于P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子要相互向对方扩散而形成一个具有空间电荷的偶极层。这偶极层阻止了空穴和电子的继续扩散而使PN结达到平衡状态。当PN结的P端(P型半导体那边)接电源的正极而另一端接负极时，空穴和电子都向偶极层流动而使偶极层变薄，电流很快上升。如果把电源的方向反过来接，则空穴和电子都背离偶极层流动而使偶极层变厚，同时电流被限制在一个很小的饱和值内(称反向饱和电流)。因此，PN结具有单向导电性。此外，PN结的偶极层还起一个电容的作用，这电容随着外加电压的变化而变化。在偶极层内部电场很强。当外加反向电压达到一定阈值时，偶极层内部会发生雪崩击穿而使电流突然增加几个数量级。利用PN结的这些特性在各种套用领域内制成的二极体有:整流二极体、检波二极体、变频二极体、变容二极体、开关二极体、稳压二极体(曾讷二极体)、崩越二极体(碰撞雪崩渡越二极体)和俘越二极体(俘获电浆雪崩渡越时间二极体)等。此外，还有利用PN结特殊效应的隧道二极体，以及没有PN结的肖脱基二极体和耿氏二极体等。

双极型电晶体

它是由两个PN结构成，其中一个PN结称为发射结，另一个称为集电结。两个结之间的一薄层半导体材料称为基区。接在发射结一端和集电结一端的两个电极分别称为发射极和集电极。接在基区上的电极称为基极。在套用时，发射结处于正向偏置，集电极处于反向偏置。通过发射结的电流使大量的少数载流子注入到基区里，这些少数载流子靠扩散迁移到集电结而形成集电极电流，只有极少量的少数载流子在基区内复合而形成基极电流。集电极电流与基极电流之比称为共发射极电流放大系数?。在共发射极电路中，微小的基极电流变化可以控制很大的集电极电流变化，这就是双极型电晶体的电流放大效应。双极型电晶体可分为NPN型和PNP型两类。

场效应电晶体

它依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻(简称场效应)，使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。

根据栅的结构,场效应电晶体可以分为三种:

①结型场效应管(用PN结构成栅极)

②MOS场效应管(用金属-氧化物-半导体构成栅极,见金属-绝缘体-半导体系统)

③MES场效应管(用金属与半导体接触构成栅极)其中MOS场效应管使用最广泛。尤其在大规模积体电路的发展中,MOS大规模积体电路具有特殊的优越性。MES场效应管一般用在GaAs微波电晶体上。

在MOS器件的基础上,又发展出一种电荷耦合器件 (CCD)，它是以半导体表面附近存储的电荷作为信息，控制表面附近的势阱使电荷在表面附近向某一方向转移。这种器件通常可以用作延迟线和存储器等配上光电二极体列阵，可用作摄像管。

命名方法

中国半导体器件型号命名方法

半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、雷射器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:

第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极体、3-三极体

第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极体时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型矽材料、D-P型矽材料。表示三极体时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型矽材料、D-NPN型矽材料。

第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-雷射器件。

第四部分:用数字表示序号

第五部分:用汉语拼音字母表示规格号

例如:3DG18表示NPN型矽材料高频三极体

日本半导体分立器件型号命名方法

日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下:

第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极体三极体及上述器件的组合管、1-二极体、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控矽、G-N控制极可控矽、H-N基极单结电晶体、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控矽。

第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从"11"开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号数字越大，越是产品。

第五部分: 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

美国半导体分立器件型号命名方法

美国电晶体或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:

第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。

第二部分:用数字表示pn结数目。1-二极体、2=三极体、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。

第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP矽高频小功率开关三极体，JAN-军级、2-三极体、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。

国际电子联合会半导体器件型号命名方法

德国、法国、义大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下:

第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁频宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如矽、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料

第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极体、B-变容二极体、C-低频小功率三极体、D-低频大功率三极体、E-隧道二极体、F-高频小功率三极体、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极体、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极体、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极体、Y-整流二极体、Z-稳压二极体。

第三部分:用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下:

1、稳压二极体型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

2、整流二极体后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。

3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。

如:BDX51-表示NPN矽低频大功率三极体，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极体。

积体电路

把晶体二极体、三极体以及电阻电容都制作在同一块矽晶片上，称为积体电路。一块矽晶片上集成的元件数小于 100个的称为小规模积体电路，从 100个元件到1000 个元件的称为中规模积体电路，从1000 个元件到100000 个元件的称为大规模积体电路，100000 个元件以上的称为超大规模积体电路。积体电路是当前发展计算机所必需的基础电子器件。许多工业先进国家都十分重视积体电路工业的发展。积体电路的集成度以每年增加一倍的速度在增长。每个晶片上集成256千位的MOS随机存储器已研制成功，正在向1兆位 MOS随机存储器探索。

光电器件 光电探测器

光电探测器的功能是把微弱的光信号转换成电信号，然后经过放大器将电信号放大，从而达到检测光信号的目的。光敏电阻是最早发展的一种光电探测器。它利用了半导体受光照后电阻变小的效应。此外，光电二极体、光电池都可以用作光电探测元件。十分微弱的光信号，可以用雪崩光电二极体来探测。它是把一个PN结偏置在接近雪崩的偏压下，微弱光信号所激发的少量载流子通过接近雪崩的强场区，由于碰撞电离而数量倍增，因而得到一个较大的电信号。除了光电探测器外，还有与它类似的用半导体制成的粒子探测器。

半导体发光二极体

半导体发光二极体的结构是一个PN结，它正向通电流时，注入的少数载流子靠复合而发光。它可以发出绿光、黄光、红光和红外线等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。

半导体雷射器

如果使高效率的半导体发光管的发光区处在一个光学谐振腔内，则可以得到雷射输出。这种器件称为半导体雷射器或注入式雷射器。最早的半导体雷射器所用的PN结是同质结，以后采用双异质结结构。双异质结雷射器的优点在于它可以使注入的少数载流子被限制在很薄的一层有源区内复合发光，同时由双异质结结构组成的光导管又可以使产生的光子也被限制在这层有源区内。因此双异质结雷射器有较低的阈值电流密度，可以在室温下连续工作。

光电池

当光线投射到一个PN结上时，由光激发的电子空穴对受到PN结附近的内在电场的作用而向相反方向分离，因此在PN结两端产生一个电动势，这就成为一个光电池。把日光转换成电能的日光电池很受人们重视。最先套用的日光电池都是用矽单晶制造的，成本太高，不能大量推广使用。国际上都在寻找成本低的日光电池，用的材料有多晶矽和无定形矽等。

其它

利用半导体的其他特性做成的器件还有热敏电阻、霍耳器件、压敏元件、气敏电晶体和表面波器件等。

未来发展

今年是摩尔法则(Moore'slaw)问世50周年，这一法则的诞生是半导体技术发展史上的一个里程碑。

这50年里，摩尔法则成为了信息技术发展的指路明灯。计算机从神秘不可近的庞然大物变成多数人都不可或缺的工具，信息技术由实验室进入无数个普通家庭，网际网路将全世界联系起来，多媒体视听设备丰富著每个人的生活。这一法则决定了信息技术的变化在加速，产品的变化也越来越快。人们已看到，技术与产品的创新大致按照它的节奏，超前者多数成为先锋，而落后者容易被淘汰。

这一切背后的动力都是半导体晶片。如果按照旧有方式将电晶体、电阻和电容分别安装在电路板上，那么不仅个人电脑和移动通信不会出现，连基因组研究、计算机辅助设计和制造等新科技更不可能问世。有关专家指出,摩尔法则已不仅仅是针对晶片技术的法则不久的将来，它有可能扩展到无线技术、光学技术、感测器技术等领域，成为人们在未知领域探索和创新的指导思想。

毫无疑问，摩尔法则对整个世界意义深远。不过，随着电晶体电路逐渐接近性能极限，这一法则将会走到尽头。摩尔法则何时失效?专家们对此众说纷纭。早在1995年在芝加哥举行信息技术国际研讨会上，美国科学家和工程师杰克·基尔比表示，5纳米处理器的出现或将终结摩尔法则。中国科学家和未来学家周海中在此次研讨会上预言，由于纳米技术的快速发展，30年后摩尔法则很可能就会失效。2012年，日裔美籍理论物理学家加来道雄在接受智囊网站采访时称，"在10年左右的时间内，我们将看到摩尔法则崩溃。"前不久，摩尔本人认为这一法则到2020年的时候就会黯然失色。一些专家指出，即使摩尔法则寿终正寝，信息技术前进的步伐也不会变慢。

图书信息

书 名: 半导体器件

作 者:布伦南高建军刘新宇

出版社:机械工业出版社

出版时间: 2010年05月

ISBN: 9787111298366

定价: 36元

内容简介

《半导体器件:计算和电信中的套用》从半导体基础开始，介绍了电信和计算产业中半导体器件的发展现状，在器件方面为电子工程提供了坚实的基础。内容涵盖未来计算硬体和射频功率放大器的实现方法，阐述了计算和电信的发展趋势和系统要求对半导体器件的选择、设计及工作特性的影响。

《半导体器件:计算和电信中的套用》首先讨论了半导体的基本特性接着介绍了基本的场效应器件MODFET和M0SFET，以及器件尺寸不断缩小所带来的短沟道效应和面临的挑战最后讨论了光波和无线电信系统中半导体器件的结构、特性及其工作条件。

作者简介

Kevin F Brennan曾获得美国国家科学基金会的青年科学家奖。2002年被乔治亚理工大学ECE学院任命为杰出教授，同年还获得特别贡献奖，以表彰他对研究生教育所作出的贡献。2003年，他获得乔治亚理工大学教职会员最高荣誉--杰出教授奖。他还是IEEE电子器件学会杰出讲师。

图书目录

译者序

前言

第1章 半导体基础

1.1 半导体的定义

1.2 平衡载流子浓度与本征材料

1.3 杂质半导体材料

思考题

第2章 载流子的运动

2.1 载流子的漂移运动与扩散运动

2.2 产生-复合

2.3 连续性方程及其解

思考题

第3章 结

3.1 处于平衡状态的pn结

3.2 不同偏压下的同质pn结

3.3 理想二极体行为的偏离

3.4 载流子的注入、拉出、电荷控制分析及电容

3.5 肖特基势垒

思考题

第4章 双极结型电晶体

4.1 BJT工作原理

4.2 BJT的二阶效应

4.2.1 基区漂移

4.2.2 基区宽度调制/Early效应

4.2.3 雪崩击穿

4.3 BJT的高频特性

思考题

第5章结型场效应电晶体和金属半导体场效应电晶体

5.1 JFE

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