首先，半导体是一门非常专业的学科，半导体器件仿真肯定需要专业的仿真软件，而通用CAE类的软件是无法解决大多数技术细节问题的，comsol， ansys，abaqus,就是通用CAE软件，据我了解前者在低频电磁，电化学，这一块还可以；中者，包含了很多软件，体系庞大却没好好消化，对这个了解的少，不发表意见；后者，材料，结构、岩土用的多；
其次，半导体器件仿真，这行业里站在高处的大牛，还是用TCAD类的软件较多，可以了解下国内主要做半导体的单位，高校、研究所、企业，基本上都是用这些软件，Synopsys的算一个，Crosslight算一个，NEXTNANO算一个，，，，，等等，其实很简单，你把这些软件放在网上一搜别人做的成果就知道哪些软件用的多，出的成果多；
不过，像Synopsys这类自己就做半导体的这类厂家，考虑到知识产权和保密问题，有一定的知识壁垒，所以这类的软件傻贵傻贵。NEXTNANO算是比较学术的一个，很久之前是开源的，现在借助他们的学校和研究所，正在走商业化，毕竟要存活嘛；
如果要学习TCAD软件也不容易啊，运气好的话，可以碰到技术比较过硬，而且还靠谱的厂家或者工程师，还会多帮忙指导指导；如果碰到只顾卖产品，无技术服务，那就惨了，，，，此为后话，一定要擦亮双眼，多做技术沟通和交流。很多技术型的公司非常乐意做技术交流的，双方互相学习共同提高嘛。
国内自己的自主研发的半导体软件，极少啊；国内做大型的工程计算软件，毕竟在前期缺少了知识储备和经验积累，现在别人制裁，就没辙了，哎，扯远了........
不是微纳电子系的，不太清楚，但是能够查到微纳电子系研究生培养方案。一、简介
我所研究生培养一级学科名称为电子科学与技术，二级学科名称为微电子学与固体电子学。研究方向有以下五个方面：微/纳电子器件及系统；集成电路与系统；集成电路工艺与纳米加工技术；半导体器件物理与CAD；纳电子学与量子信息技术。我所研究生课程共设置27门；目前在校学生数：博士生85人；硕士生:343人（包括工程硕士243人）。2009年共招收研究生136名（其中博士生19名，工学硕士研究生26名，工程硕士研究生91名）；毕业研究生105名（授予博士学位14名，工学硕士学位22名，工程硕士学位69名。
二、课程设置
研究生课程共设置27门，本年度已开课程23门。具体内容介绍如下：
课程编号：71020013 课程名称： 半导体器件物理进展
任课教师：许 军
内容简介：半导体复杂能带结构与晶体对称性分析；载流子散射理论与强场热载流子输运；短沟MOS器件物理；异质结构物理与异质结器件；半导体的光电子效应与发光；非晶半导体与器件。
课程编号：71020023 课程名称：数字大规模集成电路
任课教师：周润德
内容简介：VLSI小尺寸器件的模型和物理问题；MOS数字VLSI的原理、结构和设计方法；VLSI电路中的时延及各种时钟技术；VLSI的同步时钟和异步时钟系统；逻辑和存储器的VLSI系统设计方法及VLSI的并行算法和体系结构。
课程编号：71020033 课程名称：模拟大规模集成电路
任课教师：李福乐 王志华
内容简介：本课程是在本科课程《模拟电子电路》、《模拟集成电路分析与设计》之后的专业课程。目的是学习模拟集成电路的设计规律和方法，增加设计出电路的可制造性，提高一次性设计成功的可能性。课程内容包括：器件模型与电路仿真、模拟集成电路单元、放大器设计、高性能放大器、比较器、A/D与D/A变换电路、芯片的输入与输出、可制造性与可测试性、版图与封装等。
课程编号：71020043 课程名称：数字VLSI系统的高层次综合
任课教师：魏少军
内容简介：VHDL语言简介，设计流程，行为描述与仿真，行为描述与目标结构的匹配，数据通道设计，控制器设计，测试向量生成，系统验证；行为设计和数据通道与控制器的设计与优化；综合VHDL描述，算子调度，资源分配，寄存器优化，控制码生成，控制器结构选择，状态化简。
课程编号：71020053 课程名称：集成电路的计算机辅助设计
任课教师：余志平 叶佐昌
内容简介：射频(RF)电路的硅CMOS工艺实现。深亚微米器件的射频特性和模型。RF发送接收器的单元电路(LNA，VCO，PLL，频率综合器，功率放大器等)的分析和设计。衬底耦合及混合数字，模拟，射频电路设计的相关问题和解决方法。
课程编号：71020062 课程名称：集成电路制造工艺与设备
任课教师：王水弟
内容简介：整个课程从拉单晶硅工艺开始，讲到现代集成电路的新型封装，使学生知道除电路设计以外的集成电路制造工艺过程。重点是详细讲解集成电路制造中的各种单项工艺技术及相关的工艺设备，并用动画的形式，演示一个双阱CMOS反相器的整个制作工艺流程，使学生直观地知道各单项工艺的具体应用。针对MEMS技术的飞速发展，专门有一章介绍了IC制造工艺在MEMS器件制造中的应用。课程还简单介绍了与集成电路制造密切相关的洁净技术，最后对于集成电路进入纳米时代后的一些关键技术及技术难点予以简单介绍。
课程编号：71020073课程名称：射频CMOS集成电路设计
任课教师：池保勇
内容简介：通过本课的学习，学生能对无线通讯中的射频收发器的结构，高频低噪音放大器，混频器，振荡器，压控振荡器以及锁相环的工作原理，电路分析和设计能有基本的掌握。参课学生对整个射频集成电路的设计有一个完整的训练。
方法一，课内讲课，用国际公认的教材。教课学时计划占总学时的一半；
方法二，用国际集成电路工业界通用的设计工具对学生进行培训；
方法三，每一位上课的学生，将设计一个或数个射频电路模块；
方法四，争取将设计成功的射频电路模块在工业界流水线能投片，流水，封装和测试。
课程编号：81020012 课程名称：超大规模集成网络
任课教师：陈志良 停开
内容简介：当前VLSI网络的发展水平、动向和研究重点、开关电容网络、连续时间网络、人工神经网络、模糊逻辑电路和系统，以及新型开关电流网络与高性能DC-DC变换器等。
课程编号：80260012 课程名称：集成电路设计实践
任课教师：李福乐
内容简介：通过一个具体的课程项目设计，实现基于CMOS工艺的全定制设计，从总体方案与结构、电路设计与仿真、版图设计与验证到流片测试的全过程训练。
课程编号：80260023课程名称：密码学与网络安全
任课教师：白国强 本年度未开
内容简介：传统加密技术；密码算法的数学基础；现代对称加密技术（DES,AES,RC4）；非对称加密方法与技术（RSA,ECC）；密码功能设置与密钥管理；消息认证和Hash算法；数字签名和认证协议；网络安全协议。
课程编号：70260013课程名称：数字集成系统设计
任课教师：张春
内容简介：本课程采用硬件描述语言作为设计输入手段，讲授数字集成系统的设计方法和高层次综合技术。本课程还讲授可编程器件的原理和设计技术，并通过上机实验培养实际动手能力。
课程编号：80260032 课程名称：新型微纳电子材料与器件
任课教师：任天令
内容简介：本课程结合国际研究前沿，介绍新型微纳电子材料及器件基本概念、原理与方法。主要内容包括：新型介电材料与集成器件、磁电子材料与器件、低维半导体材料与器件、 分子电子材料与器件等。
课程编号：80260042 课程名称：PLL设计与时钟/频率产生
任课教师：李宇根
内容简介：本课程介绍锁相环的产生，帮助学生获得针对用于有线和无线通信的锁相环的系统透视方法和电路设计方法。课程的前一半将介绍锁相环的基础理论分析和系统电路设计方法；后一半包含用于不同锁相环应用的材料介绍，和更深入的专题：频率分析，时钟数据恢复，延时锁定环，片上可测性及其补偿，SoC设计中的耦合问题以及未来的挑战。其中耦合问题，可测性问题，片上补偿对于SoC设计和混合信号IC设计也非常有用。
课程编号：80260052课程名称：半导体存储器技术
任课教师：潘立阳
内容简介：半导体存储器是微电子技术发展的重要研究领域和支撑技术。本课程主旨为通过对各种主流存储器的基本理论、器件、电路及工艺技术和新型存储器技术的综合讲解，促进学生掌握半导体存储器的设计实现方法，并提高对专业知识的综合应用能力。
课程编号：80260062课程名称：嵌入式系统设计与实践
任课教师：李兆麟
内容简介：随着信息化、智能化、网络化的发展，嵌入式系统获得了广大的发展空间，已经应用到了通信、工业监控、国防军事、交通通信、医疗卫生以及人们日常生活的各个方面。本课程通过讲授的方式，并结合课程实践，全面地介绍嵌入式系统的基本原理和实践方法。学生可以通过课堂学习与亲自动手实践，能够充分掌握嵌入式系统的基本知识；软硬件协同设计方法；如何设计复杂的嵌入式系统；嵌入式 *** 作系统以及低功耗设计等。
课程编号：81020022 课程名称：微处理器结构及设计
任课教师：李树国
内容简介：微处理器发展简史；微计算机及微处理器性能评测；指令级结构设计与RISC技术；数据通路与控制单元设计；流水线技术；存储管理与Cache设计；微处理器发展趋势。
课程编号：81020032课程名称：大规模集成电路测试方法学概论
任课教师：孙义和
内容简介：VLSI逻辑模型和逻辑模拟、VLSI故障模型和故障模拟、VLSI测试生成方法和自动测试图案产生、智能VLSI测试方法和测试图案生成方法、可测性设计的度量和方法、系统层的故障建模和测试生成，以及集成CAI工作中心形成方案和途径等。
课程编号：81020042 课程名称：微电子封装技术
任课教师：蔡坚
内容简介：微电子封装的现状和发展趋势，封装的主要性能指标及电、热、热力学等方面的设计，集成电路封装的主要制造工艺及所用材料，集成电路封装的选择原则及封装的主要失效模式等。
课程编号：81020052 课程名称：微米/纳米技术物理 本年度未开
任课教师：刘泽文
内容简介：有关制作微米/纳米器件及结构的各种技术及其物理原理，包括抗蚀性原理，光学光刻，离子束、电子束、X射线的形成及其与物质的相互作用的物理过程，干法及蚀法刻蚀原理。
课程编号：81020062 课程名称：微机电系统（MEMS）
任课教师：刘理天
内容简介：MEMS的组成、结构、基本原理、设计方法与制作技术，介绍几类典型的MEMS器件；微集成传感器、微执行器和微系统，介绍MEMS在信息、生物、医学、宇航等领域中的应用。
课程编号：81020082 课程名称：VLSI数字信号处理
任课教师：陈弘毅 刘雷波
内容简介：数字信号处理是音视频、通信、测量、导航、信息安全等诸多应用的基础，本课程讲授各种数字信号处理算法的VLSI系统实现的方法与技术，用以指导VLSI芯片设计，达到速度－面积－功耗最优化。
课程编号：81020132 课程名称：集成电路制造与生产管理
任课教师：张志刚
内容简介：运作管理；IC生产工艺技术管理；IC生产流程管理；学习曲线；线性规划在运作管理中的典型运用；实际IC生产计划系统；质量管理引言；统计过程控制（SPC）；过程能力研究；供应链管理；独立需求库存系统；IC－CAM系统简介；IC虚拟制造。
课程编号：91020012 课程名称：微电子学最新进展
任课教师：刘理天等
内容简介：MOSFET器件极限、ULSI工艺、设计及封装课题、从微电子到纳电子；深亚微米集成电路设计、数字信号处理及其VLSI实现；微电子机械系统的结构、原理和制作技术及典型器件，模糊控制原理、算法及硬件实现；微处理器最新体系结构及并行处理技术。
课程编号：80260032 课程名称：新型微纳电子材料与器件
任课教师：任天令
内容简介：课程内容有两部分。一是集成铁电学的基本理论和方法，包括铁电体的结构与基本性质、材料与工艺、器件集成、测试与表征等。二是集成铁电学的应用，包括铁电存储器、MEMS器件、高频器件、红外探测器件等。
课程编号：81020112 课程名称：纳米电子器件
任课教师：王燕
内容简介：纳米电子器件概论；单电子晶体管的原理及应用；共振随穿二极管的原理及应用；碳纳米管的电子结构及其应用；纳米加工技术——通向纳米世界的桥梁。
课程编号：81020122 课程名称：CMOS集成电路制造实验
任课教师：刘志弘
内容简介：通过本课程的学习能使学生从原来的半导体（集成电路）理论知识的学习真正得到实践的机会。在CMOS集成电路的自我实践和制作中达到理论联系实际的目的。目标：利用以上实验室装备和24小时运行机制，使每个学生都能达到自我制作CMOS集成电路的目标。最终具备独立动手能力及分析能力。保证使用的工艺技术及装备达到目前国内0.35-0.8微米技术水平。
课程编号：81020142 课程名称：IC设计与方法
任课教师：张春
内容简介：本课程旨在使学生对于IC设计的技术及流程建立完整的概念，学习和了解IC设计的方法， 掌握IC设计的工具。通过该课程的学习及实验，培养IC设计的实际动手能力。
四、学位论文
共有2篇博士论文获奖，一篇获清华大学优秀博士论文一等奖；一篇获清华大学优秀博士论文二等奖，7篇硕士论文被评为清华大学校级优秀硕士论文。
这个能从微纳电子所的网页上找到，你如果真有兴趣可以直接发邮件联系微纳电子所的老师，能从网页上找到联系方式。http://www.ime.tsinghua.edu.cn
如何考察结构能带如何考察一个能带（DOS）结构和复杂的相互作用 Part 1 Electric conductivity and Band structures
固体计算最终结果将以能带结构展示出来，关于能带结构，固体中化学键分析，轨道之间的相互作用的解释等是一个复杂的过程，这里只是简单的根据本人的经验对此作定性的描述. 根据Fermi面附近能带的分布情况，固体分为绝缘体（insulator），半导体（semi－conductor），导体（conductor），导体比较典型的是金属，能带在Fermi面附近是连续分布，主要由于金属d，s以及p轨道之间能级重叠导致了Fermi面能带的联系分布，金属电导的好坏不仅仅是看Fermi附近是不是存在可供电子跃迁的能级，还要看这些能级是不是扩展态（extended or delocalized states），如果是定域态（localized）那么及时Fermi附近呈现Metallic特性，电导不会比金属好，比如过渡金属化合物电导就要比金属本身差很多。过渡金属本身电导也会受到d轨道扩展程度的影响，比如3d系列Fe，Co，Ni等电导率不是很大，比起Cu，Ag等就差的远了，对于Fe等金属Fermi面主要陈分是3d轨道，而对于Cu和Ag，由于3d（4d）轨道已经成满层排列，因此Fermi面落在了扩展的s轨道上面，这些轨道上的电子类似于自由电子气，能带呈现抛物线的形式，E(k)=h^2k^2/2me具有比较高的电导率，相反Fe等的3d轨道成分也可以分为巡游电子（自由电子，轨道为扩展性，能带呈现抛物线特点）和定域轨道两类，定于轨道能带在k空间是离域的，色散关系比较平直，但在晶体实空间内高度的定域，受到原子核的Coulomb吸引作用比较强烈，难以发生迁移，因此如果填充电子落在这些d轨道上面，电导性会大大降低。当然具体取决于DOS或者能带是如何分布的，这个和晶体结构有关系。在一些化合物中如TiC等结构中，Fermi面最后落在以C2p轨道为主要成分的能带上面，p轨道主要参与结构共价键形成，这些电子能级一般定域在Ti和C原子周围，电子处于紧束缚状态，难以在外加电场下发生迁移，因此这时候化合物的电导会进一步下降。 Part 2 关于半导体能带的特点：
半导体能带类似于绝缘体，区别在于带隙数值，一般认为宽带隙半导体的能带最大在4eV左右。如果比这个更大，可以认为是绝缘体。半导体能带主要分成三个部分：valence band， band gap， conduction band。
Valence band：主要由电负性较大的原子组成，如InP，价带主要是P的3s，3p轨道，导带一般是金属原子组成，如In的s，p轨道等。从化学键角度考虑，价带一般是Bonding，当然也有部分结构表现出Anti－bonding状态。
同质P-N结的能带结构图是如何得出的
p-n结基本概念是解决许多微电子和光电子器件的物理基础。对于许多半导场器件问题的理解不够深透，归根到底还在于对于p-n结概念的认识尚有模糊之处的缘故。
因为p-n结的一个重要特点就是其中存在有电场很强的空间电荷区，故p-n结的形成机理，关键也就在于空间电荷区的形成问题；p-n结的能带也就反映了空间电荷区中电场的作用。
(1) 载流子的转移：
p型半导体和n型半导体在此需要考虑的两个不同点即为（见图(a)）：①功函数W不同；②主要（多数）载流子种类不同。因此，当p型半导体和n型半导体紧密结合而成的一个体系——p-n结时，为了达到热平衡状态（即无能量转移的动态平衡状态），就会出现载流子的转移：电子从功函数小的半导体发射到功函数大的半导体去，或者载流子从浓度大的一边扩散到浓度小的一边去。对于同质结而言，载流子的转移机理主要是浓度梯度所引起的扩散；对于异质结（例如Si-Ge异质结，金属-半导体接触）而言，载流子的转移机理则主要是功函数不同所引起的热发射。
(2) 空间电荷和内建电场的产生：
现在考虑同质p-n结的形成：在p型半导体与n型半导体的接触边缘附近处（即冶金学界面附近处），当有空穴从p型半导体扩散到n型半导体一边去了之后，就在n型半导体中增加了正电荷，同时在p型半导体中减少了正电荷，从而也就在p型半导体中留下了不能移动的电离受主中心——负离子中心；与此同时，当有电子从n型半导体扩散到p型半导体一边去了之后，就在p型半导体中增加了负电荷，同时在n型半导体中减少了负电荷，从而也就在n型半导体中留下了不能移动的电离施主中心——正离子中心。这就意味着，在p型半导体一边多出了负电荷（由电离受主中心和电子所提供），在n型半导体一边多出了正电荷（由电离施主中心和空穴所提供），这些由电离杂质中心和载流子所提供的多余电荷即称为空间电荷，它们都局限于接触边缘附近处，以电偶极层的形式存在，如图(b)所示。
由于在两种半导体接触边缘的附近处存在着正、负空间电荷分列两边的偶极层，所以就产生出一个从n型半导体指向p型半导体的电场，称为内建电场。在此，内建电场仅局限于空间电荷区范围以内，在空间电荷区以外都是不存在电场的电中性区。
至于势垒区中内建电场的分布形式，决定于空间电荷的分布，主要是决定于掺杂浓度的分布。对于掺杂浓度在p-n结冶金学界面处突然改变者，称为突变结，其中内建电场在势垒区两边的分布基本上是线性分布；对于掺杂浓度在p-n结冶金学界面处线性地改变者，称为线性缓变结，其中内建电场的分布近似为亚抛物线分布。
(3) p-n结的势垒和能带：
因为在p-n结界面附近处存在着内建电场，而该内建电场的方向正好是阻挡着空穴进一步从p型半导体扩散到n型半导体去，同时也阻挡着电子从n型半导体进一步扩散到p型半导体去。于是从能量上来看，由于空间电荷-内建电场的出现，就使得电子在p型半导体一边的能量提高了，同时空穴在n型半导体一边的能量也提高了；而在界面附近处产生出了一个阻挡载流子进一步扩散的势垒——p-n结势垒。根据内建电场所引起的这种能量变化关系，即可画出p-n结的能带图，如图(c)所示。在达到热平衡之后，两边的Fermi能级（EF）是拉平（统一）的。能带的倾斜就表示著电场的存在。
①势垒高度：
实际上，在p-n结界面处的内建电场就使得p型半导体与n型半导体之间产生了电位差——内建电势差（或内建电压）。电场越强，内建电势差就越大。此内建电势差所对应的能量差（能量差=电势差×电子电荷），即为p-n结的势垒高度。虽然势垒高度并不直接反映的......
band structure图怎么看
MS
计算能带图分析
能带图的横座标是在模型对称性基础上取的
K
点。为什么要取
K
点呢？因为晶体的周
期性使得薛定谔方程的解也具有了周期性。按照对称性取
K
点，可以保证以最小的计算量
获得最全的能量特征解。能带图横座标是
K
点，其实就是倒格空间中的几何点。其中最重
要也最简单的就是
gamma
那个点，因为这个点在任何几何结构中都具有对称性，所以在
castep
里，有个最简单的
K
点选择，就是那个
gamma
选项。纵座标是能量。那么能带图应
该就是表示了研究体系中，各个具有对称性位置的点的能量。
我们所得到的体系总能量，
应
该就是整个体系各个点能量的加和。
记得氢原子的能量线吧？能带图中的能量带就像是氢原子中的每条能量线都拉宽为一个
带。通过能带图，能把价带和导带看出来。在
castep
里，分析能带结构的时候给定
scissors
这个选项某个值，
就可以加大价带和导带之间的空隙，
把绝缘体的价带和导带清楚地区分出
来。
DOS
叫态密度，也就是体系各个状态的密度，各个能量状态的密度。从
DOS
图也可以
清晰地看出带隙、价带、导带的位置。要理解
DOS
，需要将能带图和
DOS
结合起来。分析
的时候，如果选择了
full
，就会把体系的总态密度显示出来，如果选择了
PDOS
，就可以分
别把体系的
s
、
p
、
d
、
f
状态的态密度分别显示出来。还有一点要注意的是，如果在分析的
时候你选择了单个原子，
那么显示出来的就是这个原子的态密度。
否则显示的就是整个体系
原子的态密度。要把周期性结构能量由于微扰裂分成各个能带这个概念印在脑袋里。
最后还有一点，这里所有的能带图和
DOS
的讨论都是针对体系中的所有电子展开的。研究
的是体系中所有电子的能量状态。
根据量子力学假设，
由于原子核的质量远远大于电子，
因
此奥本海默假设原子核是静止不动的，
电子围绕原子核以某一概率在某个时刻出现。
我们经
常提到的总能量，就是体系电子的总能量。
这些是我看书的体会，不一定准确，大家多多批评啊！
摘要：本文总结了对于第一原理计算工作的结果分析的三个重要方面，以及各自的若
干要点用第一原理计算软件开展的工作，分析结果主要是从以下三个方面进行定性
/
定量的
讨论：
1
、电荷密度图（
charge density
）
；
2
、能带结构（
Energy Band Structure
）
；
3
、态密度（
Density of States
，简称
DOS
）
。
电荷密度图是以图的形式出现在文章中，非常直观，因此对于一般的入门级研究人员
来讲不会有任何的疑问。
唯一需要注意的就是这种分析的种种衍生形式，
比如差分电荷密图
（
def-ormation charge density
）和二次差分图（
difference charge density
）等等，加自旋极化
的工作还可能有自旋极化电荷密度图（
spin-polarized
charge
density
）
。所谓
“
差分
”
是指原子
组成体系（团簇）之后电荷的重新分布，
“
二次
”
是指同一个体系化学成分或者几何构型改变
之后电荷的重新分布，
因此通过这种差分图可以很直观地看出体系中个原子的成键情况。
通
过电荷聚集（
accumulation
）
/
损失（
depletion
）的具体空间分布，看成键的极性强弱；通过
某格点附近的电荷分布形状判断成键的轨道
（这个主要是对
d
轨道的分析，
对......
如何画异质结的能带结构示意图，急求
没有明确的统一规定，一般你可模拟画个投影的外形，然后必须得有吊车的作业半径，就是多大吨位的半径（主勾、付勾的），证明你布置正确！不能和其它吊车、建筑物相撞，有能和本建筑有一很好的链接（有的塔吊还要与建筑有一临时支撑等）
我想画文献里的那种能带结构图。。。有办法吗？用软件画 10分
这要看你需要画的是什么图了，不同的图有特殊的要求。如果仅仅是普通的框架，word就可以了，要是什么设计之类的就是CAD，立体图那就多了，p顶o/E，3Dmax，MATLAB之类的，很多，总之要找到合适的，不知道你要画那种图了，呵呵
电子的能量为什么能得到不同的能带图
同质P-N结的能带结构图的得出方法如下：
因为在p-n结界面附近处存在着内建电场，而该内建电场的方向正好是阻挡着空穴进一步从p型半导体扩散到n型半导体去，同时也阻挡着电子从n型半导体进一步扩散到p型半导体去。于是从能量上来看，由于空间电荷-内建电场的出现，就使得电子在p型半导体一边的能量提高了，同时空穴在n型半导体一边的能量也提高了；而在界面附近处产生出了一个阻挡载流子进一步扩散的势垒——p-n结势垒。根据内建电场所引起的这种能量变化关系，即可画出p-n结的能带图。在达到热平衡之后，两边的Fermi能级（EF）是拉平（统一）的。能带的倾斜就表示著电场的存在。
P-N结的定义：
采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
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