HCL:清洗wafer的时候用。
CF4:蚀刻Si和氧化硅的时候用。
SF6:蚀刻Si的时候用。
其他还有BCl3, Cl2, Ar差不多都是蚀刻的使用。
我不是做封装的,不过我经常用RIE(Reactive Ion Etch)原理就是用各种气体的plasma来对半导体芯片进行蚀刻
不同气体的plasma的作用是不一样的~你说的除去异物的那种,我估计应该是氧气(O2)或者氩气(Ar)吧?
激活表面这个说法我还真没有听说过。。
个人觉得不会。。1是觉得没有必要,2是因为没有mask的话,直接上plasma进行对芯片本体的结构处理是很危险的。。有可能会损坏原有的构造,导致芯片损毁
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