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SCM与NAND相比较,它的优势是什么
(文章来源:比特网)存储级存储器SCM能够如同NAND闪存一样保留其内容的能力,也能有像DRAM一样的的速度,这使得它最终将取代闪存作为首选的高速存储介质。由于闪存的固有设计,SCM在这块要好很多。性
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NAND Flash营收季增10.2% 带动合约价跌幅收敛
2019 年第三季 NAND Flash 产业营收季成长为 10.2%,达到约 119 亿美元。一方面受惠于年底销售旺季以及因应美中贸易冲突客户提前备货需求增加,激励整体位元出货量成长近 15%;另一
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半导体行业迎来大跌幅 DRAM和NAND是重灾区
美国半导体行业协会(SIA)在当地时间周一公布了 2019 年全球半导体行业的营收为 4121 亿美元,与 2018 年相比,营收跌了 12%,这也是自 2001 年半导体行业飞速发展以来首次经历如此
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关于NAND闪存有哪些观念是错误的?
在半导体业,有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此,弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。在使用期的性能恒定。固态硬盘(SSD)写入数据
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2018年大容量硬盘供不应求,海康威视抓住了每次转型机遇
3月30日,“智涌钱塘”2018AI Cloud生态国际峰会在G20主会场·杭州国际博览中心隆重举行。在此次峰会上,希捷科技作为海康威视重要的合作伙伴参与了AI Cloud生态启动仪式。在现场记着采访
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台北电脑展拉开序幕,AS2258 SSD控制芯片将会是点序最大的亮点
一年一度的台北电脑展即将在6月5日拉开序幕,届时将吸引国内外知名企业参展。全球闪存控制芯片供货商点序科技以「点序十年,记忆相随」(ASolid – A Solid SoluTIon for Your
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存储芯片价格连涨三年,预测今年第四季度内存涨价终于到头了
2016年以来,存储芯片价格持续上涨,今年已经是第三个年头。虽然NAND闪存、SSD等产品已经有所回落,但内存依然没有下跌势头。不过,业内普遍预测,到今年第四季度,内存的涨价终于到头了。日前,集邦咨询
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群联64层3D QLC NAND Flash控制芯片出货,单颗容量即可达128GB
快闪存储器(NANDFlash)控制芯片及储存解决方案领导群联6日正式宣布,搭载美系国际原厂最新QLC规格64层3DNANDFlash之的SSD控制芯片PS3111-S11T于本月正式出货。群联董事长
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美光业务分析和展望:将持续推进DRAM和NAND Flash技术发展
在美光分析师及投资者大会上,美光针对其业务以及存储市场进行了分析和展望。美光认为未来美光业务增长的关键在于数据中心、移动、汽车、物联网四大领域,且看好市场需求呈现翻倍的增长。据悉,美光2018财年Q2
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3D NAND Flash技术将进一步带动未来几季市场对高容量的需求
据调研机构CMR在2018年3月的统计报告《India Consumer Storage Flash Memory Market Review》,2018年第1季印度的消费性存储器市场较上一季2017
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NAND Flash市场供货量增加,综合价格指数已累计下滑28%
随着Flash各家原厂纷纷升级到64层3D NAND技术量产256Gb或512Gb单颗Die,以及提高新工厂的产出量,2018年三星将全面向3D NAND普及,美光预计2018年全球NAND Flas
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使用基于其Arria 10 SoC的存储参考设计,NAND闪存的使用寿命将加倍
Altera公司开发了基于其Arria 10 SoC的存储参考设计,与目前的NAND闪存相比,NAND闪存的使用寿命将加倍,程序擦除周期数增加了7倍。参考设计在经过优化的高性价比单片解决方案中包括了一
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随着3D NAND产出的增加,2018年全球SSD出货量有望冲刺2亿台
随着64层72层3D NAND产出的增加,以及原厂QLC和96层3D技术快速发展,NAND Flash在经历2年涨价后,2018年市场行情从缺货转向供应过剩,再加上成本下滑,以及供需双方博弈刺激下,
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DRAM和NAND闪存需求的持续增长,三星上半年销售额领先英特尔
8月21日,调研公司IC Insights发布报告称,由于DRAM和NAND闪存需求的持续增长,今年上半年三星电子在全球半导体市场的销售额较英特尔高出22%,而一年前的该比例仅为1%。2017年第一季
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紫光旗下长江存储的全新3D NAND架构技术隆重亮相2018重庆智博会
2018年8月23日,首届中国国际智能产业博览会(简称“智博会”)在重庆国际博览中心盛大开幕。紫光集团作为中国最大的综合性集成电路企业,以“从芯到云,铸就智能科技基础”为主题,亮相智博会,并围绕“芯”
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在三星、海力士持续扩产下,2018年DRAM供给端产能可能再成长10%
DRAM价格飙涨带动2017年全球半导体产值冲破4000亿美元,国际半导体产业协会SEMI预估,在三星电子、SK海力士(SK Hynix)持续扩展DRAM产能下,2018年DRAM供给端产能可能再成长
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国产存储产业崛起 长江存储有望在2023年赶“英”超“美”
2019年11月27日,由集邦咨询(TrendForce)主办的MTS2020存储产业趋势峰会在深圳召开。在当天的活动上,多位分析师对全球DRMA及NAND Flash市场进行了细致的分析。对于国产N
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2021年将量产国产自主的内存芯片 内存垄断格局或将要变天
在进军NAND闪存之后,紫光集团前几日又跟重庆政府签署了合作协议,将在当地建设内存研发中心及晶圆厂,投资规模尚未公布,2021年将量产国产自主的内存芯片。紫光集团今年6月份组建了DRAM内存事业部,委
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Hynix宣布已成功开发出26nm制程NAND闪存芯片产品
Hynix宣布已成功开发出26nm制程NAND闪存芯片产品南韩Hynix公司本周二宣布,继半年前成功开发出基于32nm制程的NAND闪存芯片产品,并于去年8月份开始量产这种闪存芯片之后,他们已经于日前