降低。光照会产生温度，温度的影响对于本征半导体主要是是迁移率下降，影响电导率。因此光照对载流子迁移率的影响是迁移率下降，影响电导率。光照是指光线的照射，是生物生长和发育的必要条件之一。半导体载流子利用光照在半导体内引入非平载流子的方法称为载

半导体封装设备一般有锡膏印刷机、固晶机、回流焊、点亮+检测、返修设备等，其中最为核心的是固晶机，我们公司的产线采用的是卓兴半导体的固晶机，很好用，性能很强大。此外，针对半导体封装制程卓兴半导体还搭建了一套完整的倒装COB解决方案，可以实现M

小注入是指注入的非平衡载流子浓度远小于平衡时的多数载流子浓度.比如n型半导体，如果满足△n和△p远小于平衡电子浓度（n0）就属于小注入。 p型就是远小于平衡空穴浓度（p0）。小注入是指注入的非平衡载流子浓度远小于平衡时的多数载流子浓度，比如

自动快速上料，去除静电，Mark检测，外形检测，电性能侧测试，废品回收，自动包装等。半导体测试机是芯片制造必需设备。测试设备贯穿整个半导体制造流程，用于测试半导体的电压、电流等各项参数，以判断芯片有效性。生产三极管的设备可能有MOCVD，光

双异质结构对载流子进行分别限制：因为异质结可以对注入到界面处的载流子形成很好的侧向限制，形成所谓的超注入现象。双异质结是利用不同折射率的材料对光波进行限制，利用不同带隙的材料对载流子进行限制。拿P-P-N型双异质结激光器来说，注入到“结”

一般情况下，ND&ltNC或NA &ltNV；费米能级处于禁带之中。当ND≥NC或NA≥NV时，EF将与EC或EV重合，或进入导带或价带，此时的半导体称为简并半导体。也即，简并半导体是指：费米能级位于导带之中或与导带重合；费

通过共轭聚合物电解质的电荷掺杂得到了基于溶液法的掺杂薄膜。参考资料：【引言】在制作高性能半导体器件的过程中，需要通过电极和半导体层间良好的欧姆接触注入最大的电流密度。要得到欧姆接触，就要求电极分别通过空穴和电子的注入得到高和低的功函数，这里

1 半导体设备： 进口替代进程加快 美国部分半导体设备制造商发出信函，要求中国国内从事军民融合或为军品供应集成电路的企业，不得用美国清单厂商半导体设备代工生产军用集成电路，同时“无限追溯”机制生效。华泰证券分析师王林认为，该消息

离子注入是离子参杂的一种。随着VLSI器件的发展，到了70年代，器件尺寸不断减小，结深降到1um以下，扩散技术有些力不从心。在这种情况下，离子注入技术比较好的发挥其优势。目前，结深小于1um的平面工艺，基本都采用离子注入技术完成掺杂。离子注

半导体激光器的激励方式主要有三种,即电注入式,光泵式和高能电子束激励式.电注入式半导体激光器,一般是由GaAS(砷化镓),InAS(砷化铟),Insb(锑化铟)等材料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结平面区域产生受激

目前自旋极化电子的注入与检测的研究不是很成熟,无论是在理论还 是在实验方面,存在许多问题有待于解决.影响注入效率的因素很多,包 括界面质量,缺陷和杂质密度.以及能带结构等,因此寻找好的自旋极化 电子来源的材料,研究出好的注入与检测方法,提高

发散角，简单的说就是衍射的效果。本身激光器调制出来的激光线应该具有非常好的方向一致性，由于散射或说衍射的效果，就有了发散角。另外，如果是激光的扩束，就是另外的一个原因了。你的原题中，描述稍微简要了一下。不知道是否可以帮到你。或可以明确问题。

半导体离子注入技术是一种材料表面改性高新技术，在半导体材料掺杂，金属、陶瓷、高分子聚合物等的表面改性上获得了极为广泛的应用，在当代制造大规模集成电路中，可以说是一种必不可少的手段。 基本原理：用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，

当温度升高或者会受光照时，由于半导体的共价键中的价电子并不像绝缘体那样束缚的很紧，所以，价电子从外界获得能量，少说价电子会挣脱共价键的束缚，成为自由电子，同时在原来共价键相应的位子上多出了带正电的空穴。而上面我们提到的自由电子和空穴就是半导

离子注入是离子参杂的一种。随着VLSI器件的发展，到了70年代，器件尺寸不断减小，结深降到1um以下，扩散技术有些力不从心。在这种情况下，离子注入技术比较好的发挥其优势。目前，结深小于1um的平面工艺，基本都采用离子注入技术完成掺杂。离子注

半导体有源区是有源区是硅片上做有源器件的区域。硅片上做有源器件的区域。（就是有些阱区。或者说是采用STI等隔离技术，隔离开的区域）。有源区主要针对MOS而言，不同掺杂可形成n或p型有源区。有源区分为源区和漏区（掺杂类型相同）在进行互联之前，

就是在四价的半导体内加入导电的元素，比如在硅，锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性，加入的愈多，半导体材料的导电性越强。以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂。轻掺杂和重掺杂一般同时出现在一个器件里的，因为轻重掺杂的费米能级不一

台积电是全球第一家、以及最大的中国台湾一家半导体生产公司专业集成电路制造服务企业。台积电，属于半导体制造公司，是全球第一家专业积体电路制造服务企业，总部与主要工厂位于中国台湾省新竹市科学园区。cpu是超大规模集成专电路，台积电就是生产代工

半导体离子注入技术是一种材料表面改性高新技术，在半导体材料掺杂，金属、陶瓷、高分子聚合物等的表面改性上获得了极为广泛的应用，在当代制造大规模集成电路中，可以说是一种必不可少的手段。 基本原理：用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，