.1 半导体物理基础 本章从半导体器件的工作机理出发,简单介绍半导体物理基础知识,包括本征半导体,杂质半导体,PN结分别讨论晶体二极管的特性和典型应用电路,双极型晶体管和场效应管的结构,工作机理,特性和应用电路,重点是掌握器件的特性. 媒质

电子型半导体和空穴型半导体。电子型半导体是以电子为多数载流子的半岛材料，它是通过引入式主型杂质而形成的。空穴型半导体是指以带正电的空穴导电为主的半导体。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产

N型半导体：也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由

原理：在极低温度下，半导体的价带是满带（见能带理论），受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。空穴导电并不是实际运动，而是一种等效。电子导

     led(Light Emitting Diode)即发光二极管，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。nbsp     相信大家都听到过led灯这个词，在我们的生活中很多地方都使用到了led灯 ，

电子型半导体和空穴型半导体。电子型半导体是以电子为多数载流子的半岛材料，它是通过引入式主型杂质而形成的。空穴型半导体是指以带正电的空穴导电为主的半导体。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产

在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体物理学中，电子流失导致共价键上留下的空位（空穴引）被视为载流子。金属中为电子，半导体中有两种载流子即电子和空穴。在电场作用下能作定向运动的带电粒子。如半导体中的自

1、硅导电，硅的电导率与其温度有很大关系，随着温度升高，电导率增大，在1480℃左右达到最大，而温度超过1600℃后又随温度的升高而减小。2、半导体（ semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（

n型半导体和p型半导体的区别如下：1、形成原因不同在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；施主杂质：周期表第V族中的某种元素，例如砷或锑。在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体；受主杂质：周期表中第Ⅲ族中的一种元素，例如硼或铟。

采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。P是positive的缩写，N是negative的缩写，表明正荷子与负荷子起作

半导体原子规则排列成点阵状态。其最小单元叫作晶包，对锗来讲是小四面体，即金刚石结构。电子在晶体中为晶包所公有，形成能带结构，如图4-1-1所示。下面的能带称为价带，又称满带，平时被电子填满。中间是禁带（又称能隙）。上面是导带，平时没有电子

电子走式是个啥.. p型和n型si的划分是以杂质掺杂以后的载流子类型划分的,如果是空穴导电为p型,电子导电为n型当pn结正向接通的时候(p-si接正电位),在电场作用下n-si的电子被吸向正极,p-si的空穴被吸向负极形成电流.如果pn结反

少子即少数载流子，相对的是多数载流子，两种载流子的浓度乘积是固定的。掺杂半导体中的掺杂物在常温下完全电离（电离出电子或空穴，依掺杂物种类而异），电离出的载流子远远多于半导体本征电离，于是掺杂半导体便出现两种载流子的严重浓度差异，低的是少数载

少子即少数载流子，相对的是多数载流子，两种载流子的浓度乘积是固定的。掺杂半导体中的掺杂物在常温下完全电离（电离出电子或空穴，依掺杂物种类而异），电离出的载流子远远多于半导体本征电离，于是掺杂半导体便出现两种载流子的严重浓度差异，低的是少数载

P型半导体不是在本征半导体参入五价元素获得的。在本征半导体中掺入5价的元素可以得到N型半导体。例如，现在用的最多的硅本征半导体，掺入5价的元素磷或锑都可以，使其转变为N型半导体。在本征半导体中掺入微量的3价元素等元素杂质时的半导体,称为P型

P型半导体不是在本征半导体参入五价元素获得的。在本征半导体中掺入5价的元素可以得到N型半导体。例如，现在用的最多的硅本征半导体，掺入5价的元素磷或锑都可以，使其转变为N型半导体。在本征半导体中掺入微量的3价元素等元素杂质时的半导体,称为P型

半导体制冷片原理：由直流电源提供电子流所需的能量，通上电源后，电子负极（-）出发，首先经过P型半导体，于此吸热量，到了N型半导体，又将热量放出，每经过一个NP模块，就有热量由一边被送到另外一边造成温差而形成冷热端。冷热端分别由两片陶瓷片

原理：在极低温度下，半导体的价带是满带（见能带理论），受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。空穴导电并不是实际运动，而是一种等效。电子导

用霍尔效应：两端通电，在内部会形成稳定电流，但在半导体的上下表面是没有电位差的；然后在半导体的两个对面的侧，加一个面磁场，这个时候在半导体另两个侧面上会形成电势差（因为内部的载流子在磁场作用下发生了偏转）。因为N型半导体载流子是电子，故根