1、高纯度。目前，人们已可制得纯度为14N（99.999999999999%）的硅材料，但只要达到10N，就可以满足大部分集成电路的需要了。2、单晶体。硅的单晶体是指具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材

发布讣告根据媒体的报道来看，在2022年6月23日的时候，中科院半导体所发布讣告：中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效 在北京逝世，享年89岁。消息一出，梁骏吾院士生前的同事朋友以及一

张忠谋，第一次看到这个名字多半不知道他是谁，但是，他是我国著名的“半导体教父”。张忠谋出生于浙江，毕业于麻省理工大学，是麻省理工大学的硕士。同时，他也是麻省理工大学董事会的一份子。24岁从麻省理工毕业的他与戈登 · 摩尔同时跨入了半导体行业

1.在无磁场辅助条件下，以 28 英寸小热场高良率成长出 16 英寸以上（晶向指数 100）的超大直径单晶体；2.实现量产 70-80ohmcm 超窄电阻率、高面内均匀性的 18 英寸单晶体；3.为满足国际知名半导体厂商产品需求，神工股份

本征半导体如下：本征半导体（intrinsic semiconductor)）是完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。但实际半导体不能绝对的纯净，此类半导体称为杂质半导体。本征半导体一般是指其导电能力主要由材料的本征激发决

本征半导体（intrinsic semiconductor)）完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。但实际半导体不能绝对的纯净，此类半导体称为"杂质半导体"。本征半导体一般是指导电主要由材料的本征激发决定的

本征半导体是指完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体,一般是指其导电能力主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。典型的本征半导体有硅Si、锗Ge及砷化镓GaAs等。本征半导体是指化学成分纯净的半导体，它在物理结构上有多晶体和单晶体两种形态，制

本征半导体（intrinsic semiconductor)）完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。实际半导体不能绝对地纯净，本征半导体一般是指导电主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。更通俗地讲，完全纯净的半导体称为

制做半导体材料的硅单质必须满足下面2个条件： 1.高纯度。目前，人们已可制得纯度为14N （99.999999999999%）的硅材料，但只要达到10N，就可以满足大部分集成电路的需要了。 2.单晶体。晶体可分为“单晶体”和“多晶体”两类。

1英寸=25.4mm，所以6寸晶圆和8寸的比例等价于150mm，200mm晶圆。8寸:主要用于中低端产品,如电源管理IC,LCDLED驱动IC,MCU,功率半导体MOSFE,汽车半导体等。6寸:功率半导体,汽车电子等。8英寸晶圆表示生产芯

本征半导体 实际应用最多的半导体是硅和锗，它们原子的最外层电子（价电子）都是四个。完全纯净的、结构完整的半导体，称为本征半导体（晶体结构）。（1）硅和锗的晶体结构 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体

发布讣告根据媒体的报道来看，在2022年6月23日的时候，中科院半导体所发布讣告：中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效 在北京逝世，享年89岁。消息一出，梁骏吾院士生前的同事朋友以及一

A、电阻为零的叫超导体，故A错误；B、据课本可知，半导体的导电性能受温度、杂质、光照等因素的影响很大，故B正确；C、半导体二极管具有单向导电性，故C正确；D、硅、锗属于半导体材料，故D正确．故选：A．1.区别单晶体和多晶体答

8英寸晶圆表示生产芯片的晶圆为8英寸半径的圆形材料。晶圆，多指单晶硅圆片，由普通硅沙拉制提炼而成，是最常用的半导体材料。按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至更大规格。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就多。

半导体化学的内容可以概括为：①硅、锗、砷化镓等半导体材料的物理化学性质及其提纯精制的化学原理，完整单晶体的制取、完整单晶层的生长以及微量杂质有控制地掺入方法。②半导体器件和集成电路制造技术如清洗、氧化、外延、制版、光刻、腐蚀、扩散等主要工艺

引言：梁骏吾院士逝世，老先生为我国半导体材料领域做出了最大的贡献就是为我国研究出如何制备硅单晶体这一个重要的难题，因为在当时，在国外已经做出世界上第一块集成电路的时候，半导体技术在国外已经非常领先了，并且他们在这个领域也发明了很多的创新技术

全球半导体行业经历了三次迁移自发展以来，全球半导体产业格局在不断发生变化。当前，全球半导体产业正在经历第三次产能转移，行业需求中心和产能中心逐步向中国大陆转移。全球半导体行业正在快速增长2021年，全球半导体市场快速增长，共销售了1.1

发布讣告根据媒体的报道来看，在2022年6月23日的时候，中科院半导体所发布讣告：中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效 在北京逝世，享年89岁。消息一出，梁骏吾院士生前的同事朋友以及一

发布讣告根据媒体的报道来看，在2022年6月23日的时候，中科院半导体所发布讣告：中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效 在北京逝世，享年89岁。消息一出，梁骏吾院士生前的同事朋友以及一