-
能带带隙如何查看,求教
半导体掺杂之后会引入杂志能级,以目前主流的半导体Si进行掺杂为例:Si为4族元素,掺杂3族元素B,B元素电离后作为受主能级存在在半导体之中,形成P型半导体。此时Si元素为杂志提供了电子,则半导体中载流子为空穴。Si为4族元素,掺杂5族元素P
-
电致变色的材料
电致变色材料分为无机电致变色材料和有机电致变色材料。无机电致变色材料的典型代表是三氧化钨,目前,以WO3为功能材料的电致变色器件已经产业化。而有机电致变色材料主要有聚噻吩类及其衍生物、紫罗精类、四硫富瓦烯、金属酞菁类化合物等。以紫罗精类为功
-
掺杂不均匀的半导体可以形成电流吗
半导体掺杂之后会引入杂志能级,以目前主流的半导体Si进行掺杂为例:Si为4族元素,掺杂3族元素B,B元素电离后作为受主能级存在在半导体之中,形成P型半导体。此时Si元素为杂志提供了电子,则半导体中载流子为空穴。Si为4族元素,掺杂5族元素P
-
请问电流的的形成,是和哪一层电子有关,是最外层电子吗?如果说是这样的话,对于半导体呢?
按照固体物理的讲法,当两个原子离的较近时,最外层电子容易同时受到两个原子的作用,而且能量较高,隧穿效应较强,容易穿透势垒形成共有化电子(在整个导体中运动),一般导体最外层不是满带,电子容易在同一能级间运动。而半导体最外层是满带。但满带与空带
-
介绍下半导体的掺杂问题?
杂质半导体: 通过扩散工艺,在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素,可得到杂质半导体。P型半导体的导电特性:掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能也就越强。结论:多子的浓度决定于杂质浓度。少子的浓度决定于温度。PN结的形成:将
-
半导体为什么会容易受到温度影响?会产生什么样的后果?
因为半导体是靠电子和空穴的移动导电。未掺杂的半导体叫本征半导体,一般说来导电性远不如掺过杂的半导体,所以一般使用的都是掺杂半导体。掺入的杂质电离出的电子和空穴增强了半导体导电性,其电离率和温度密切相关,所以温度会影响半导体材料的电阻率。对于
-
半导体与金属材料的电阻率与温度的关系有何区别?为什么?
主要区别是金属的电阻率随温度升高而增大。而半导体的电阻率在低温、室温和高温情况下,变化情况各不相同。一、金属电阻率与温度的关系:金属材料在温度不高,温度变化不大的范围内:几乎所有金属的电阻率随温度作线性变化,即ρ与温度t(℃)的关系是ρt=
-
什么是扩散炉?它有什么用处?
扩散炉是集成电路生产线前工序的重要工艺设备之一,它的主要用途是对半导体进行掺杂,即在高温条件下将掺杂材料扩散入硅片,从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布,以便建立起不同的电特性区域。虽然某些工艺可以使用离子注入的方法进行掺杂,但是热
-
半导体硅材料的制备
结晶态硅材料的制备方法通常是先将硅石(SiO2)在电炉中高温还原为冶金级硅(纯度95%~99%),然后将其变为硅的卤化物或氢化物,经提纯,以制备纯度很高的硅多晶。包括硅多晶的西门子法制备、硅多晶的硅烷法制备。在制造大多数半导体器件时,用的硅
-
半导体用英语怎么说?
问题一:半导体 英文怎么说semi-conductor问题二:关于半导体的概况用英语怎么说关于半导体的概况 翻译:Overview of semiconductor问题三:导体,半导体的英文怎么说?c
-
掺杂半导体中的少子浓度小于本征半导体载流子浓度?
温度.导体在任何温度下,都将遵从热平衡条件:np=ni2.因此多数载流子与少数载流子是相互制约着的.多数载流子主要来自于掺杂,而少数载流子都来自于本征激发(属于本征载流子).当通过掺杂、增大多数载流子浓度时,则多数载流子与少数载流子相互复
-
半导体掺杂有什么作用?
半导体的掺杂是为了提高半导体器件的电学性能,半导体的很多电学特性都与掺杂的杂质浓度有关。纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的,但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少,而且容易受到外间因素如温度等的影响。掺入相应的三价或是五价元
-
导体 半导体 绝缘体的能带特征分别是什么?
首先要清楚一个概念,满带不导电,只有空带和未满带才导电。所以导体能导电是因为它的能带是未满带。半导体是既有空带又有满带,而且它们之间的禁带宽度较小,当电流足够大时,满带带顶上的载流子就会跃迁到空带去,导致满带不满,空带不空,这种状态下才能导
-
PIN二极管是什么?
PIN型光电二极管也称PIN结二极管、PIN二极管,在两种半导体之间的 PN结,或者半导体与金属之间的结的邻近区域,在P区与N区之间生成I型层,吸收光辐射而产生光电流的一种光检测器。具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点。工作原理在上述的
-
均匀掺杂的半导体什么意思
掺杂(英语:doping)是半导体制造工艺中,为纯的本征半导体引入杂质,使之电气属性被改变的过程。引入的杂质与要制造的半导体种类有关。轻度和中度掺杂的半导体被称作是杂质半导体,而更重度掺杂的半导体则需考虑费米统计律带来的影响,这种情况被称为
-
半导体一定是随温度的提高导电能力也随之提高吗?
一般是这样的,但是在一定的温度范围(对于Si,室温)内则否:当掺入的施主或者受主杂质完全电离以后,若温度再升高,多数载流子浓度不再随温度而变化,而载流子迁移率μ却随之降低,就使得电导率σ=qnμ减小(n型半导体);若温度进一步升高到本征激发
-
什么叫半导体的轻掺杂、中掺杂和重掺杂
就是在四价的半导体内加入导电的元素,比如在硅,锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性,加入的愈多,半导体材料的导电性越强。以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂。轻掺杂和重掺杂一般同时出现在一个器件里的,因为轻重掺杂的费米能级不一
-
求半导体材料高手,什么是非故意掺杂?导带是抛物形的有什么影响?电子的有效质量有什么影响?
非故意掺杂就是沾污杂质,不是施主、受主那样是人为掺入的杂质。导带是抛物形就意味着导带中的电子能量与波矢的平方成正比,即电子可以当作为具有一定的有效质量的自由电子。掺杂对有效质量的影响,什么意思?参见“http:blog.163.com
-
解释一下金属和本征半导体作为温度功能元件时的热导率的差异.
金属的热导率大于半导体的热导率.假如:这个温度功能元件是热电偶.当用金属做热电偶时,由于金属的热导率较好,所以它的温差不太大,导致载流子的浓度差不大,所以热电偶的热电动势较小;当用半导体做热电偶时,由于半导体的热导率较小,所以它