美国加利福尼亚州山景城，2015年3月--　新思科技公司（Synopsys， Inc.，纳斯达克股票市场代码：SNPS）日前宣布：其 Galaxy™ Design Platform 设计平台支撑了90

d性客制化 IC 领导厂商 （Flexible ASIC LeaderTM） 创意电子 （GUC） 与全球高速串联解串器 （High-speed SerDes） 创新技术的领导者Credo（默升科技）

美国加州圣何塞（2014年9月26日）－全球知名电子设计创新领先公司Cadence设计系统公司（NASDAQ： CDNS）今日宣布，其数字和定制模拟分析工具已通过台积电公司16FF+制程的V0.9设

美国加州圣何塞（2014年9月26日）-全球知名的电子设计创新领导者Cadence设计系统公司（NASDAQ： CDNS）今日宣布为台积电16纳米FinFET+ 制程推出一系列IP组合。 Cadenc

当今，英特尔在FinFET制程上仍属于佼佼者，其他半导体厂商正尝试开发3D FinFET与英特尔抗衡。IBM同样在FinFET制程上表现突出，这也是英特尔的主要竞争对手。IBM有可能在今年底宣布开始投

台积电昨日宣布其将在未来一年内调用至少100亿美元的经费来增加在16nm FinFET芯片的工业生产。台积电最近称此进程已经超过了原计划，16nm工艺已经是业内最好并且最成熟的技术。台积电与三星都在F

目前半导体业界中，晶圆代工领域最热门的话题就是高通 （Qualcomm） 新的手机芯片代工订单花落谁家？以及苹果 iPhone 6的 A8 芯片后续动向，韩厂三星与台厂台积电之间的新制程竞争，越演越烈

在历史上，半导体产业的成长仰赖制程节点每一次微缩所带来的电晶体成本下降；但下一代晶片恐怕不会再伴随着成本下降，这将会是半导体产业近20~30年来面临的最严重挑战。具体来说，新一代的20奈米块状高介电金

对于英特尔来说，要想在移动芯片市场多分得一杯羹，就需要借助其更加先进的制造能力的优势。而今日宣布的新款Atom SoCs——举例来说——即基于22nm的3D或“三栅极晶体管”工艺。与传统的（基于平面晶

大量的金钱和精力都花在探索FinFET工艺，它会持续多久和为什么要替代他们？在近期内，从先进的芯片工艺路线图中看已经相当清楚。芯片会基于今天的FinFET工艺技术或者另一种FD SOI工艺的平面技术，

半导体技术研究可望为广泛的医疗电子、通讯、显示器、数位相机等领域带来进步与创新。这是IMEC研究机构的研究人员们针对其最新研究成果所描绘的未来愿景。透过本文图集，读者将得以一窥其中的部份研发进展。电子

2014年全球半导体市场商机将持续扩大。在中国大陆、印度与东南亚等新兴市场对中低价智能型手机需求激增带动下，2014年全球半导体市场产值可望再次成长，而台湾半导体产业也将在台积电领军下，大举争抢此一中

EDA 业者正大举在FinFET市场攻城掠地。随着台积电、联电和英特尔（Intel）等半导体制造大厂积极投入1614奈米FinFET制程研发，EDA工具开发商也亦步亦趋，并争相发布相应解决方案，以协

摘要：对于28纳米及以下节点，选择和放置多种过孔类型的复杂要求对LEF技术文件的绕线构成了挑战，导致设计规则检查 （DRC） 错误增多（需要耗费时间来调试和改正），最终影响了良率和性能。对于28纳米

随着台积电、英特尔、三星等半导体大厂将在明年微缩制程进入20纳米以下世代，设备厂也展开新一波的抢单计划。在应用材料于其SEMVision系列设备上引进首创缺陷检测扫瞄电子显微镜（DRSEM）技术后，另

晶圆代工厂迈入高投资与技术门槛的鳍式场效电晶体（FinFET）制程世代后，与整合元件制造商（IDM）的竞争将更为激烈，因此台积电正积极筹组大联盟（Grand Alliance），串连矽智财（IP）、半

2016年5月19日，北京讯——ARM今日发布了首款采用台积电公司（TSMC）10纳米FinFET工艺技术的多核 64位 ARM®v8-A 处理器测试芯片。仿真基准检验结果显示，相较于目前常用于多款顶

在Synopsys 的协助下，台湾联电（UMC）首款基于14nm制程及FinFET晶体管技术的测试用芯片日前完成了流片。联电公司早前曾宣布明年下半年有意启动14nm 制程FinFET产品的制造，而这次

为争抢先进制程商机大饼，包括台积电、格罗方德和三星等晶圆代工厂，下半年均将扩大资本设备支出，持续扩充28奈米制程产能；与此同时，受到英特尔冲刺FinFET技术研发刺激，各大晶圆厂也不断加码技术投资，将