硬件工程师刚接触多层PCB的时候，很容易看晕。动辄十层八层的，线路像蜘蛛网一样。下面用几张多层PCB电路板内部结构图，用立体图形展示各种叠层结构的PCB图内部架构。  01 高密度互联板(HDI)的核

1湿化学1.1湿蚀刻1.1.1原则湿法蚀刻工艺的原理是利用化学溶液将固体材料转化为liquid化合物。由于采用了高选择性化学物质可以非常精确地适用于每一部电影。对于大多数解决方案选择性大于100:1。

蚀刻是印制电路板制作工业中重要的一步。它看上去简单，但实际上，如果在蚀刻阶段出现问题将会影响板子的最终质量，特别是在生产细纹或高精度印制电路板时，尤为重要。在制作过程中经常遇见的两个问题是侧蚀和镀层突

在PCB的设计和加工方面，深圳捷多邦科技有限公司有着自己的优势。在对PCB加工之蚀刻质量及先期问题分析方面，捷多邦的工程师认为对蚀刻质量的基本要求就是能够将除抗蚀层下面以外的所有铜层完全去除干净，止此

维护PCB蚀刻设备的最关键因素就是要保证喷嘴的高清洁度及无阻塞物，使喷嘴能畅顺地喷射。阻塞物或结渣会使喷射时产生压力作用，冲击板面。而喷嘴不清洁，则会造成蚀刻不均匀而使整块电路板报废。明显地，设备的维

大量涉及蚀刻面的质量问题都集中在上板面被蚀刻的部分，而这些问题来自于蚀刻剂所产生的胶状板结物的影响。对这一点的了解是十分重要的，因胶状板结物堆积在铜表面上。一方面会影响喷射力，另一方面会阻档了新鲜蚀刻

大量涉及蚀刻面的质量问题都集中在上板面被蚀刻的部分，而这些问题来自于蚀刻剂所产生的胶状板结物的影响。对这一点的了解是十分重要的，因胶状板结物堆积在铜表面上。一方面会影响喷射力，另一方面会阻档了新鲜蚀刻

大量涉及蚀刻面的质量问题都集中在上板面被蚀刻的部分，而这些问题来自于蚀刻剂所产生的胶状板结物的影响。对这一点的了解是十分重要的，因胶状板结物堆积在铜表面上。一方面会影响喷射力，另一方面会阻档了新鲜蚀刻

PCB板蚀刻工艺用传统的化学蚀刻过程腐蚀未被保护的区域。有点像是挖沟，是一种可行但低效的方法。在蚀刻过程中也分正片工艺和负片工艺之分，正片工艺使用固定的锡保护线路，负片工艺则是使用干膜或者湿膜来保护线

在精细印制电路制作过程中，喷淋蚀刻是影响产品质量合格率最重要的工序之一。现有很多的文章对精细线路的蚀刻做了大量的研究，但是大多数都只停留在表象的研究中，并没有从本质上认识喷淋蚀刻中出现的问题。一般只通

引言宽带隙氮化镓(GaN)优越的电子、化学、热和机械性能吸引了人们对开发功率开关器件和下一代半导体传感器的极大兴趣。通过对薄(20~30 nm) AlGaN的凹槽刻蚀，可以实现AlGaNGaN高电子

引言椭偏光谱(SE)、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)、润湿性和光致发光(PL)测量研究了HF水 溶液中化学清洗的GaP(OOl)表面。SE数据清楚地表明，溶液在浸入样品后(W1分钟

引言用多能氩离子辐照x射线切割铌酸锂单晶，产生厚度为400纳米的均匀损伤表面层，研究其在HF水溶液中的腐蚀行为。使用不同的酸温度和浓度，表明可以通过将温度从24℃提高到55℃来提高蚀刻速率，同时保持该

摘要在湿化学加工中，制造需要表面清洁度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工艺参数，特别是对于常见的清洁技术RCA clean (SC-1和SC-2) [2]。本文讨论了表面处理参数的特点及其影响。硅技

摘要本文主要研究了从接触刻蚀、沟槽刻蚀到一体刻蚀的介质刻蚀工艺中的刻蚀后处理。优化正电子发射断层扫描步骤，不仅可以有效地去除蚀刻过程中在接触通孔的侧壁底部形成的副产物，还可以消除包含特征的蚀刻金属的表

关键词晶圆清洗 电气 半导体引言半导体器件的制造是从半导体器件开始广泛销往市场的半个世纪 前到现在为止与粒子等杂质的战斗。半个世纪初，人们已经了 解了什么样的杂质会给半导体器件带来什么样的坏影响。作为

引言化学蚀刻是通过与强化学溶液接触来控制工件材料的溶解。该过程可以应用于任何材料。铜是利用化学腐蚀工艺制造微电子元件、微工程结构和精密零件中广泛使用的工程材料之一。在这项研究中，铜在50℃用两种不同的

引言随着半导体技术的发展，为了在有限的面积内 形成很多器件，技术正在向多层结构发展。要想形成多层结构，会形成比现有更多的薄膜层 ,这时晶片背面也会堆积膜。目前，在桔叶式设备中，冷却晶片背面膜的方法是翻

摘要在印刷和蚀刻生产厚金属膜中的精密图案时，需要对化学蚀刻剂有基本的了解，以实现工艺优化和工艺控制。为了蚀刻纯铝电路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化铁的配方。 研究的目的是确定蚀刻速率和图案定义对正磷酸浓