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混合铝蚀刻剂的化学特性分析
摘要我们华林科纳研究了正磷酸、聚磷酸、和铁(III)氯化物蚀刻剂对工艺条件变化的敏感性,以确定该蚀刻剂系统在纯铝电路光刻制造中的潜在生产应用。温度变化、正磷酸浓度、多磷酸浓度的影响。检测了酸浓度、铁(
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四甲基氢氧化铵水溶液湿蚀刻中AlGaNAlN摩尔分数关系
引言AlGaN基材料有望用于紫外发光二极管或激光二极管等光学器件。这些紫外线光学装置用于生物医学应用、水空气净化系统和消毒系统。据我们所知,在脉冲电流注入下,基于AlGaN的紫外激光二极管的最短波长
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O极和Zn极ZnO单晶的蚀刻行为
引言氧化锌是最广泛研究的纤锌矿半导体之一。氧化锌不仅作为单晶,而且以多晶薄膜的形式。其显著的性能,如宽直接带隙3.37 eV,大结合强度内聚能1.89 eV,熔点2248 K,高激子结合能60 meV
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关于硫酸-过氧化氢-水系统中砷化镓的化学蚀刻研究报告
摘要我们华林科纳对h2so4-h202-h20体系中(100)砷化镓的蚀刻情况进行了详细的研究。研究了特定蚀刻剂成分的浓度对蚀刻速率和晶体表面形状的影响。从这些结果中,蚀刻浴组成的吉布斯三角形被划分为
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湿法蚀刻MEMS硅腔的工艺控制
介绍硅的各向异性蚀刻是指定向依赖的蚀刻,通常通过碱性蚀刻剂如水溶液氢氧化钾,TMAH和其他羟化物如氢氧化钠。由于蚀刻速率对晶体取向、蚀刻剂浓度和温度的强烈依赖性,可以以高度可控和可重复的方式制备多种硅
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半导体器件制造中的蚀刻技术
在半导体器件制造中,蚀刻是指选择性地从衬底上的薄膜去除材料并通过这种去除在衬底上创建该材料的图案的技术。该图案由一个能够抵抗蚀刻过程的掩模定义,其创建过程在光刻中有详细描述。一旦掩模就位,就可以通过湿
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蚀刻工艺关于湿化学处理后InP表面的研究
引言本文将讨论在不同的湿化学溶液中浸泡后对InP表面的氧化物的去除。本文将讨论接收衬底的各种表面成分,并将有助于理解不同的外原位湿化学处理的影响。这项工作的重点将是酸性和碱性溶液。许多报告表明,硫可以
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KOH硅湿法蚀刻工艺设计研究
在本研究中,我们设计了一个150mm晶片的湿蚀刻槽来防止硅片的背面蚀刻,并演示了优化的工艺配方,使各向异性湿蚀刻的背面没有任何损伤,我们还提出了300mm晶圆处理用湿浴槽的设计,作为一种很有前途的工艺
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多晶硅表面纹理化的典型方法
湿化学蚀刻是多晶硅表面纹理化的典型方法,湿化学蚀刻法也是多晶体硅表面锯切损伤的酸织构化或氢氧化钾锯切损伤去除后的两步化学蚀刻,这些表面纹理化方法是通过在氢氟酸-硝酸-H2O的酸性溶液中进行化学蚀刻来实
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硅晶圆蚀刻过程中的化学反应研究
引言硅晶圆作为硅半导体制造的基础材料,是极其重要的,将作为铸锭成长的硅单晶加工成晶圆阶段的切断、研磨、研磨中,晶圆表面会产生加工变质层。为了去除该加工变质层,进行化学蚀刻,在硅晶片的制造工序中,使共有
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一种新的半导体超卤素深度分析方法
本文章提出了一种新的半导体超卤素深度分析方法,在通过臭氧氧化去除一些硅原子层,然后用氢氟酸蚀刻氧化物后,重复测量,然后确定了成分和表面电位的深度分布,因此这种分析技术提供了优于0.5纳米的深度分辨率,
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硅的氧化物和氮化物的气相氟化氢蚀刻作用
引言本文研究了硅的氧化物和氮化物的气相氟化氢蚀刻作用,新的氧化物选择性模式,概述了通过将无水高频与控制量的水蒸汽混合而产生高频蒸汽蚀刻剂的实现方法,描述了一种通过将氮气通过高频水溶液而引入高频蒸汽的系
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详解微机械中的各向异性刻蚀技术
引言单晶硅, 作为IC、LSI的电子材料, 用于微小机械部件的材料,也就是说,作为结构材料的新用途已经开发出来了。其理由是, 除了单晶SI或机械性强之外,还在于通过利用仅可用于单晶的晶体取向的各向异性
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利用原子力显微镜测量硅蚀刻速率
本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法,应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜,通过无损摩擦化学去除部分天然氧化物,暴露底下新鲜硅。因此,可以实现在氢氧化钾溶液中对硅的选择性蚀刻,
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如何对氮化镓基发光二极管结构进行干法刻蚀
摘要氮化镓作为一种宽带隙半导体,已被用于制造发光二极管和激光二极管等光电器件。最近已经开发了几种用于氮化镓基材料的不同干蚀刻技术。电感耦合等离子体刻蚀因其优越的等离子体均匀性和强可控性而备受关注。本研
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硅晶片在氢氧化钾、TMAH和EDP溶液中的蚀刻速率
本文研究了氢氧化钾、TMAH(C6H4(OH)2)溶液中氢氧化铵(四甲基铵)和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的浓度和温度对硅表面的影响,制作了光滑的垂直墙和悬吊梳式结构。在蚀刻研究中,在
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使用晶片处理技术在硅中产生沟槽结构
本文讨论了一种使用容易获得的晶片处理技术在硅中产生沟槽结构的简单技术,通过使用(110)Si的取向相关蚀刻,可能在硅中产生具有垂直侧壁的沟槽,与该技术一起使用的某些溶液的蚀刻各向异性大于600∶1[1
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温度对去除氮化物和氧化物层的影响
本文介绍了在缓冲氧化物腐蚀(BOE)溶液中温度对氮化物和氧化物层腐蚀速率的影响。明确的框架结构和减少的蚀刻时间将提高制造过程的生产率,该方法从图案化氮化硅开始,以研究在BOE工艺之后形成的框架结构,然
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金属蚀刻残留物对对等离子体成分和均匀性的影响
本文研究了金属蚀刻残留物,尤其是钛和钽残留物对等离子体成分和均匀性的影响。通过所谓的漂浮样品的x射线光电子能谱分析来分析室壁,并且通过光发射光谱来监测Cl2、HBr、O2和SF6等离子体中的Cl、Br