湿法蚀刻工艺的原理

湿法蚀刻工艺的原理,第1张

1湿化学

1.1湿蚀刻

1.1.1原则

湿法蚀刻工艺的原理是利用化学溶液将固体材料转化为liquid化合物。由于采用了高选择性化学物质可以非常精确地适用于每一部电影。对于大多数解决方案选择性大于100:1。

1.1.2需求

液体化学必须满足以下要求:

•蒙版层不能被攻击

•选择性必须高

•刻蚀过程必须能够通过用水稀释来停止

•反应产物不能是气态的,因为它们可能遮蔽其他区域

•在整个过程中恒定的蚀刻速率

•反应产物必须是可溶解的,以避免颗粒

•环境安全和易于处理是必要的

1.1.3批量蚀刻

在批量蚀刻中,多个晶圆可以同时蚀刻、过滤和循环泵阻止颗粒到达晶圆。由于每加工一次晶圆,化学物质的浓度就会降低,因此必须经常更新。腐蚀速率,换句话说,每次磨损,必须是众所周知的,以确保一个可再生的过程。精确的回火是必要的,因为腐蚀速率随着增加温度。

 

湿法蚀刻工艺的原理,第2张

 

一个杠杆可以在水平和垂直方向转移晶圆后的晶片被蚀刻后,蚀刻过程在不同的槽中用水清洗来停止,随后在旋转干燥机中除去水分。批量蚀刻的优点是处理量高,结构简单的蚀刻工具。但是,均匀性较低。

1.1.4喷雾蚀刻

喷射蚀刻可与光刻中的喷射显影相媲美。由于晶圆的旋转同时稳定地更新了蚀刻化学的均匀性很好。由于晶圆旋转速度快,晶圆内部不会出现气泡必须分开处理。作为单一晶圆工艺的替代方案,喷射蚀刻可以在多晶圆上进行一次一块硅片。在旋转蚀刻机中,晶圆被放置在喷管周围,然后同心旋转。然后,硅片在热氮气环境中干燥

  审核编辑:汤梓红

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