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X-FAB Silicon Foundries 日前推出全新的 XT018 制程，这是180奈米200V MOS的独立沟槽电介质（SOI）代工制程，其完全隔离型的模组化制程让不同电压的区块能够整合在单

方案Foundry厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，对XS018 180nm传感器工艺进行改进，扩大了其应用范围。得益于此次技术改进，公司现已能够提供光电二极

中国北京，2021年4月15日——全球公认的卓越的模拟混合信号与光电半导体解决方案晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，已为其XP018高压（HV）车用