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UCIe技术:实现Chiplets封装集成的动机
UniversalChiplet Interconnect Express (UCIe) 是一个开放的行业互连标准,可以实现小芯片之间的封装级互连,具有高带宽、低延迟、经济节能的优点。能够满足整个计算
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用于后端光刻的新型无掩模技术分析
在本文中,我们研究了传统光刻方法在先进封装中的局限性,并评估了一种用于后端光刻的新型无掩模曝光。编译来源:3DInCites从 2D 扩展到异构集成和 3D 封装对于提高半导体器件性能变得越来越重要。
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超越摩尔定律的“杀手锏” 3D封装如约而至
想知道在3D(2.5D)IC设计行业发生了什么大事件,参加每年在伯林盖姆举行的3D ASIP会议是最佳的场所。市调机构Yole在今年的会议上介绍了3D IC的最新进展。其他的介绍都是关于行业探索、功耗
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如何利用3D封装和组件放置解决POL稳压器散热难题?
POL 稳压器之所以产生热量,是因为没有电压转换效率能够达到 100%。这样一来就产生了一个问题,由封装结构、布局和热阻导致的热量会有多大? 封装的热阻不仅提高 POL 稳压器的温度,还提高 PCB
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3D封装TSV技术仍面临三个难题
高通(Qualcomm)先进工程部资深总监Matt Nowak日前指出,在使用高密度的硅穿孔(TSV)来实现芯片堆叠的量产以前,这项技术还必须再降低成本才能走入市场。他同时指出,业界对该技术价格和商业
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英特尔新款处理器现身_3D封装工艺技术加持
Intel去年曾对外介绍了名为Foveros的3D封装工艺技术,该技术将首次用于Lakefield家族处理器,采用英特尔独特的Foveros3D堆栈技术,使得其封装体积仅有12×12×1mm,差不多是
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新型2.5D和3D封装技术的挑战
半导体业界,几家公司正在竞相开发基于各种下一代互连技术的新型2.5D和3D封装。英特尔,台积电和其他公司正在基于一种新兴的互连方案(称为铜-铜混合键合)探索未来的封装。这项技术提供了一种在芯片级使用铜
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支持120W快充|亚成微推出3D封装技术高集成电源芯片,助力大功率、高密度快充量产
近年来,手机快充的普及给人们工作和生活带来了极大的方便,它可以大为减少便携式电子设备的充电时间,提高人们工作和生活的效率。但随着经济的发展以及人们生活节奏的不断加快,更快充电速度、更小体积的充电器逐渐
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芯片的连接触电密度单比特功耗扩展性,是英特尔发展先进制程的指标
在8月13日举办的2020架构日上,英特尔发布了长达233页的技术更新,覆盖制程、封装、架构、软件等“六大技术支柱”的方方面面。作为摩尔定律的提出者,英特尔一方面围绕晶体管密度和性能,推动摩尔定律在1