• 半导体二极管电路图计算

    利用二极管I-U直线方程U=1.5-I(电流 I 单位:mA),与该二极管伏安特性曲线相交即可得到二极管两端的电压降和通过其的电流。(电脑 *** 作起来不方便,具体的你自己做哇,估计电压0.67v&lt1v,电流1mA) 然而如果电源电压

    2023-4-24
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  • 《华为饱和攻击营销法》读书笔记

    《华为饱和攻击营销法》,孟庆祥著,北京联合出版公司2021年4月出版,14.3万字。 孟庆祥,1999年加入华为,在华为销售部门工作20余年。华为首批蓝血十杰,华为蓝军成员,华为大学金牌讲师。 全书分上下篇,共十章: 上篇 华为

    2023-4-24
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  • 什么是市场营销近视症?

    1.过度依赖明星效应企业可以借组多位明星的影响力迅速成长,并且一旦个别代言人出现状况,其他人可以继续作为品牌形象代表,分散风险,但是也会导致品牌形象不够集中、鲜明。比如之前给耐克代言的几位明星,2003年,科比面对强健指控,2009年伍兹发

    2023-4-24
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  • 半导体上面的线路怎么知道是不是短路

    线路板上线路比较复杂,各种情况都有,不可以简单地用电阻档阻值大小判断电阻开路或短路。原因:1、电阻两端测量阻值为零(极小):除电阻短路外,也可能是通过电感绕组或变压器等形成了通路。不能确定电阻短路;2、实际电阻开路:即使电阻开路,测量时由于

  • 三极管饱和压降Vce(sat)是什么意思?

    三极管的特性曲线图分为四个区:饱和区、放大区、截止区、击穿区。一般讨论比较多的是前三个区。三极管的的工作点进入饱和区,三极管就进入饱和状态。三极管进入饱和状态还分深度饱和之说。可以这样理解:三极管进入饱和区失去线性放大作用时可以认为三极管处

    2023-4-24
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  • 当市场饱和的时候我们该怎么办?

    当市场饱和的时候我们该怎么办?一是降低产量,求质量,通过质量求生存。二是转型求发展。人无我有,人有我好,人好我强,人强我精,人精我改,抓住人们求新,求异,求酷心理,永远立于不败之地。在市场饱和的情况下与商业对手竞争,这个问题问到点子上了,如

    2023-4-24
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  • 二极管的反向电流是什么意思

    二极管的反向电流:外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小

  • PCT与HAST的区别有哪些?

    PCT与HAST主要作用是用来测试半导体封装之湿气能力,待测产品被置于严苛之温度、湿度及压力下测试,湿气会沿者胶体或胶体与导线架之接口渗入封装体.广泛应用于EVA胶,TPT膜,光伏玻璃,PCB线路板,多层线路板,IC半导体,LCD光器件,电

    2023-4-24
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  • bosch电热水器tr6800怎么调温度

    bosch电热水器tr6800调温度步骤如下:1、插上电源,按下电热水器的开关按钮,同时设置一下水温。2、等水烧开了之后,先把阀门调至中间位置,放会水,试下水温不凉了再开始使用。3、等水温恒定了之后可以使用,因为电热水器四周都是水,很容易触

  • 《华为饱和攻击营销法》读书笔记

    《华为饱和攻击营销法》,孟庆祥著,北京联合出版公司2021年4月出版,14.3万字。 孟庆祥,1999年加入华为,在华为销售部门工作20余年。华为首批蓝血十杰,华为蓝军成员,华为大学金牌讲师。 全书分上下篇,共十章: 上篇 华为

  • 三极管中vbevce是什么意思

    vbe为基级与发射级间电压;vce为发射级与集电极间电压。三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器

  • 为什么三极管饱和时Uce=0.3V而Ube=0.7V,

    Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区自由电子浓度一负一正,结果形成扩散势.扩

    2023-4-24
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  • 听《孟庆祥讲透华为营销法》读书笔记02

    今天开始学习《孟庆祥讲透华为营销法》的发刊词:怎样让一线真正驱动企业发展?在这一课里,说到 企业怎么变为“销售动物”“能力动物”,以及“学习动物”,一下子就把我给吸引到了。课程里说,会赚钱的企业一抓一大把,但是能在几乎所有城市、村镇

  • 什么是半导体二极管的正向电压降?

    代表当电流通过二极管时电压会下降0.6-0.8V,比如原来电压为10V通过二极管后下降为9.5V左右,正向是指二极管有方向性,正向导通,反向截止.锗与硅二极管的性能不同所以压降也不同0.6V左右;微安级,试验测量结果在20- 300微安之间

    2023-4-24
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  • 《华为饱和攻击营销法》读书笔记

    《华为饱和攻击营销法》,孟庆祥著,北京联合出版公司2021年4月出版,14.3万字。 孟庆祥,1999年加入华为,在华为销售部门工作20余年。华为首批蓝血十杰,华为蓝军成员,华为大学金牌讲师。 全书分上下篇,共十章: 上篇 华为

    2023-4-24
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  • 半导体可饱和吸收镜的基本结构

    半导体可饱和吸收镜(SESAM)的基本结构就是把反射镜与半导体可饱和吸收体结合在一起。底层一般为半导体反射镜,其上生长一层半导体可饱和吸收 体薄膜,最上层可能生长一层反射镜或直接利用半导体与空气的界面作为反射镜,这样上下两个反射镜就形成了一

  • 芯片分析仪器及手段有哪些?

    芯片分析仪器有:1 C-SAM(超声波扫描显微镜),无损检查:1.材料内部的晶格结构,杂质颗粒.夹杂物.沉淀物.2. 内部裂纹. 3.分层缺陷.4.空洞,气泡,空隙等. 德国2 X-Ray(这两者是芯片发生失效后首先使用的非破坏性分析手段)

  • PCT与HAST的区别有哪些?

    PCT与HAST主要作用是用来测试半导体封装之湿气能力,待测产品被置于严苛之温度、湿度及压力下测试,湿气会沿者胶体或胶体与导线架之接口渗入封装体.广泛应用于EVA胶,TPT膜,光伏玻璃,PCB线路板,多层线路板,IC半导体,LCD光器件,电

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    三极管的特性曲线图分为四个区:饱和区、放大区、截止区、击穿区。一般讨论比较多的是前三个区。三极管的的工作点进入饱和区,三极管就进入饱和状态。三极管进入饱和状态还分深度饱和之说。可以这样理解:三极管进入饱和区失去线性放大作用时可以认为三极管处

    2023-4-23
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