CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写,指的是内存存取数据所需的延迟时间,简单的说,就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小,代表反应所需的时间越短。
在早期的PC133内存标准中,这个数值规定为3,而在Intel重新制订的新规范中,强制要求CL的反应时间必须为2,这样在一定程度上,对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高,同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时,这是一个不可不察的因素。
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CL=2所表示的意义是此时内存读取数据的延迟时间是两个时钟周期当CL=3时。内存读取数据的延迟时间就应该是三个时钟周期,因此,这“2”与“3”之间的差别就不仅仅局限于“1”了,而是1个时钟周期。
工作在相同频率下的同种内存,将CL设置为2会得到比3更优秀的性能。为了使主板正确地为内存设定CAS延迟时间,内存生产厂商都将其内存在不同工作频率下所推荐的CAS延迟时间记录在了内存PCB板上的一块EEPROM上,这块芯片就是SPD。当系统开机时,主板BIOS会自动检测SPD中的信息并最终确定是以CL=2还是CL=3来运行。
参考资料来源:中关村在线——CAS Latency
内存的CL值是CAS的延迟时间,这是纵向地址脉冲的反应时间,也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。内存负责向CPU提供运算所需的原始数据,而目前CPU运行速度超过内存数据传输速度很多,因此很多情况下CPU都需要等待内存提供数据,这就是常说的“CPU等待时间”。CL(CAS Latency):为CAS的延迟时间,这是纵向地址脉冲的反应时间,也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。
内存传输速度越慢,CPU等待时间就会越长,系统整体性能受到的影响就越大。因此,快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关键之一。
CL设置较低的内存具备更高的优势,这可以从总的延迟时间来表现。内存总的延迟时间有一个计算公式,总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+存取时间(tAC),tAC是Access Time from CLK的缩写,是指最大CAS延迟时的最大数输入时钟,是以纳秒为单位的,与内存时钟周期是完全不同的概念,虽然都是以纳秒为单位。存取时间(tAC)代表着读取、写入的时间,而时钟频率则代表内存的速度。
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