一.用场效应管设计非门

一.用场效应管设计非门

目录

MOS简单介绍

1.NMOS管

2.PMOS管

非门分析

电路图

1.输入为高电平时

2.输入为低电平时

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MOS简单介绍 1.NMOS管

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NMOS管由正电压导通

当栅源极电压差大于场效应管的导通电压时，漏极与源极就会导通

当栅源极电压差小于场效应管的导通电压时，漏极与源极就会截止

2.PMOS管

PMOS管由负电压导通

当栅源极电压差小于场效应管的导通电压时，漏极与源极就会导通

当栅源极电压差大于场效应管的导通电压时，漏极与源极就会截止

非门分析 电路图

1.输入为高电平时

输入为高电平时，正电压导通的NMOS管导通，负电压导通的PMOS管截止。

因此输出端与地相连，输出为低电平。

2.输入为低电平时

 输入为低电平时，负电压导通的PMOS管导通，正电压导通的NMOS管截止。

因此输出端与电源相连，输出为高电平。