三星推出10nm级8GB LPDDR4芯片

三星推出10nm级8GB LPDDR4芯片,第1张

  据三星官网新闻,韩国巨头宣布推出业界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4内存芯片采用16Gb颗粒,10nm级(10nm~20nm之间)工艺制造,可实现与20nm级4GB相似的封装面积(立体三围15mm×15mm×1.0mm)和功耗。内存速度为4266Mbps,比目前PC所用的DDR4 DRAM典型值2133 Mbps要快两倍。

  若按照64bit位宽,每秒可传输34GB的数据。

  三星称,8GB的容量将得以让移动设备实现更流畅的虚拟机运行、4K视频回放等。

  去年8月,三星推出了业界首个12Gb LPDDR4内存颗粒,使得6GB RAM手机得以实现,相对于之前的20纳米 8Gb LPDDR4而言,12Gb版本的速度提升超过30%,高达4266Mbps(单位引脚的PC DDR4 DRAM处理速度为2,133Mbps),是PC用 DDR4 DRAM的两倍,功耗则减少20%。

欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: https://outofmemory.cn/dianzi/2686978.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2022-08-15
下一篇 2022-08-15

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存