半导体常用的钝化层:
第一类钝化膜是与制造器件的单晶硅材料直接接触的。其作用在于控制和稳定半导体表面的电学性质,控制固定正电荷和降低表面复合速度,使器件稳定工作。
第二类钝化膜通常是制作氧化层、金属互连布线上面的,它应是能保护和稳定半导体器件芯片的介质薄膜,需具有隔离并为金属互连和端点金属化提供机械保护作用,它既是杂质离子的壁垒,又使器件表面具有良好的力学性能。
钝化层是钝化的那部分。钝化是使金属表面转化为不易被氧化的状态,而延缓金属的腐蚀速度的方法。
passivation层的作用是保护M2,防止其发生氧化。
passivation层材料是二氧化硅,氮化硅,氮氧化硅,及磷硅玻璃。
在半导体制作工艺中,为保护集成电路免于遭到外界环境的影响,例如水气,外来杂质,及机械性的伤害,通常会在集成电路的上方沉积保护层。
passivation层基本信息
金属钝化理论认为,钝化是由于表面生成覆盖性良好的致密的钝化膜。大多数钝化膜是由金属氧化物组成,故称氧化膜。
在半导体器件的制造上,氧化膜具有极为重要的作用。其被利用为mos晶体管的棚级氧化膜、pn接合部的保护膜、杂质扩散的光罩。制造氧化膜的代表例有:热氧化法及气相成长法。
一些还原性阴离子,对氧化膜破坏作用较大。为了得到厚的致密的氧化膜,常采用化学或电化学处理。
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