半导体封装中如何去掉残胶？

封装的主要生产过程包括：晶圆切割，将晶圆上每一晶粒加以切割分离。粘晶，（Die-Attach）将切割完成的晶粒放置在导线架上。焊线，（Wire Bond）将晶粒信号接点用金属线连接至导线架上。封胶，将晶粒与外界隔绝。检切/成型，将封胶后多余的残胶去除，并将导线架上IC加以检切成型。印字，在IC表面打上型号、生产日期、批号等信息。检测，测试芯片产品的优劣。

1、半导体后道工艺中“molding”是：注塑成型，就是把一片片已经焊上芯片（DIie Bond），焊上线（Wire Bond）的框架（Leadframe）塑封起来。

2、熔融塑料流动时大分子之间相互摩擦的性质称为塑料的粘性，而把这种粘性大小的系数称为粘度,所以粘度是熔融塑料流动性高低的反映，粘度越大,熔体粘性越强,流动性越差,加工越困难。

3、所有的制品在浇口密封状态下加工是不可能的事。对于一件具体的制品，须进行浇口密封试验并检测浇口密封加工的制品和浇口不密封加工的制品确定那种方式最好。这将可能出现浇口冻结时测试样品100%性能不好，浇口未冻结的制品100%通过检测，或者与之相反。通过简单的观察样品或工艺不能判断是怎么回事。进行浇口密封试验并测试样品才能找到答案。

4、如果浇口不密封对制品的性能有利，那么以所需要时间的一半开始让浇口冷却。由于正常的温度和工艺变化，最坏的可能情况是选择准确的浇口密封时间。然而生产制品时有时候需要让浇口密封，有时候相反，这就会生产前后不一致的产品。

RCA cleaning 就是采用RCA方法来清洗的意思。RCA是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液： （1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。 （2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。 （3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。 （4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。 清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污，因为有机物会遮盖部分硅片表面，从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污，同时使硅片表面钝化。

---