一年换一个大客户！说说“最牛风投”合肥看中的这家光刻机公司

这几天有关合肥的一则消息暴走全网，网友称全国最牛掰的风投非合肥市政府莫属，合肥市2007年拿全市三分之一的财政收入投资了京东方，最后赚了100多亿；2011年拿出100多亿投了合肥长鑫/兆易创新，上市估计浮盈超过1000亿；2019年合肥市又拿出100亿投资了蔚来 汽车 ，结果大众 汽车 新能源板块落地合肥。神 *** 作不断，网友直言合肥市政府有"隐藏的股神"。

实际上合肥市不仅有"面板一哥"京东方、"存储器一哥"合肥长鑫，还有合肥芯碁微这样的光刻机企业，而且这家公司股东中也浮现出合肥创新 科技 风险投资有限公司这样拥有政府背景的风投机构，"全国最佳风投机构"真的不是乱盖的。

芯碁微在科创板上市的申请5月13日被上交所受理，6月10日审核状态显示为问询，按照科创板上市流程，下一步就是上市委决议。

在芯碁微上市之前，我们就说道说道这家公司。

芯碁微的主营业务是光刻机，但此光刻机与被国人深度关注的半导体光刻机有所不同，公司从事的是 以微纳直写光刻为技术核心的直接成像设备及直写光刻设备的研发、制造、销售以及相应的维保服务，主要产品及服务包括PCB直接成像设备及自动线系统、泛半导体直写光刻设备及自动线系统、其他激光直接成像设备以及上述产品的售后维保服务，产品功能涵盖微米到纳米的多领域光刻环节。

芯碁微招股书中的这段业务描述确实让人看的云里雾里，不知说了什么东西，下面就一个个来捋一捋。

首先说说直接直写成像技术。笔者在《两难选择！尼康掉队与ASML一家独大下，国产光刻机抄还是不抄？》这篇文章中提到，光刻机分为有掩模光刻机和无掩模光刻机，最大的差异是有掩模光刻机在光刻中需要使用刻有电路图形的光掩模板，然后再通过显影、刻蚀、去胶等工艺，达到将电路图型转移到晶圆表面的目的。无掩模光刻机则不需要光掩模板，理论上不仅降低了生产成本，还可以减少套刻误差等缺陷，提升良品率，当然这一点公司在招股书中专门提到了。

芯碁微的直接成像技术是将电路设计图形转换为机器可识别的图形数据，并由计算机控制光束调制器实现图形的实时显示，再通过光学成像系统将图形光束聚焦成像至已涂覆感光材料的基板表面，完成图形的直接成像和曝光。按照使用发光元件不同，直接成像技术可分为激光直接成像和非激光的紫外光直接成像两种。激光直接成像即LDI，光是由紫外激光器发出，主要用于PCB制造中线路层的曝光工艺；像紫外LED直接成像技术这样的非激光的紫外光直接成像，光源是紫外光LED，主要用于PCB制造中阻焊层的曝光工艺：

当然直接成像技术还是借助了半导体前道光刻机的步进扫描技术，提高曝光效率。在光刻精度、对位精度、良品率等方面，直接成像技术全方位碾压传统曝光技术：

其次，再说说芯碁微产品。

成立于2015年6月的芯碁微经过5年的发展，已经形成了以PCB直接成像设备及自动线系统和泛半导体直写光刻设备及自动线系统两大类，公司称之为PCB系列和泛半导体系列，其中PCB系列收入2019年达到1.92亿元，占到公司总营收的95%：

说完了产品，再说说芯碁微的核心技术。无掩模光刻设备主要分两大类：基于空间光调制器的光学无掩模光刻设备和带电粒子无掩模光刻设备。基于空间光调制器的无掩模光刻设备有很多，比如激光直写设备、波带片阵列光刻（ZPAL）、表面等离子激源成像系统和近几年兴起的基于DMD的透镜缩小投影设备，芯碁微的光刻设备是基于DMD技术。带电粒子无掩模光刻设备主要有电子束直写（EBL）、基于静电可伸缩光学的多电子束光刻设备（MEBL）等，本文不做展开。

基于DMD的直写光刻技术的曝光原理与传统曝光技术类似，但区别在于其利用了计算机技术，把对应的光刻图案输至DMD芯片中，DMD微镜阵列根据光刻图案调整对应的微镜转角，同时准直光源照射至DMD微镜阵列表面，产生与光刻图案相符饿光图像，光图像通过投影曝光镜头成像至基材表面，基材在受控的运动平台上完成扫描动作和图形拼接，实现高精度光刻：

当然芯碁微在技术研发中解决了图形拼接、大数据量图形数据生成及其高速实时无失真传输、不同曝光镜头光刻线宽一致性等问题，实际上无掩模光刻技术中类似的问题一直存在，也是设备厂商必须要解决的。

芯碁微成立至今仅有5年时间，在发展方向中公司抓住了下游PCB产品结构升级以及直接成像设备逐步替代传统设备的机遇，在直写光刻系统模块关键技术上不断突破的同时，还在2019年成功推出了直接成像联机自动线系统，在设备自动化方面取得较大突破。在泛半导体尤其是面板领域，公司自主研发的用于500nm及以上线宽的掩模板制板光刻设备及IC制造直写光刻设备也实现了进口替代，目前公司拥有8项核心技术：

如果换成是半导体制造前道用光刻机，想象下需要攻克的核心技术有多少，难度有多大。

2017-2019年核心技术产品占到营收的比例分别为97.35%、98.19%和96.49%，芯碁微的技术成果产业化效果相当明显。与同行相比，芯碁微的设备在最小线宽、对位精度方面相当甚至领先，产能效率也相当甚至领先同行，作为一家成立仅五年的企业，后发优势显现，其也进入了深南电路等一线PCB厂商供应链：

说完芯碁微的业务和核心技术，下来就说说公司的客户，说完就下班。

芯碁微的业务分PCB系列和泛半导体系列两大类，相应的其客户可分为PCB客户和泛半导体客户两大类，其中PCB客户主要有内资PCB一哥深南电路、景旺电子、崇达电子旗下普诺威等以及健鼎 科技 、台湾软电等台资企业；泛半导体企业客户主要是维信诺旗下的国显光电和中国电子 科技 集团第11研究所等科研院所，总体来看公司PCB业务拓展较为顺利。

芯碁微的客户群体看起来很豪华，但是第一大客户三年时间换了三个，而且笔者发现部分客户出现了各种各样的风险。

先说前五大客户。2017-2019年前五大客户的收入分别达到0.17亿元、0.51亿元和1.13亿元，占芯碁微总营收的76.16%、59.14%和55.89%，前五大客户集中度明显下降。报告期内公司第一大客户分别为广州俊耀电子系、昆山国显光电和浙江罗奇泰克，销售金额占比分别为28.32%、34.27%和35.76%，第一大客户三年换了三个，显得很不稳定：

以下就是芯碁微前五大客户的一些不可忽视的坑：

①2017年的第一大客户广州市俊耀电子和第四大客户深圳捷腾微电子被纳入失信被执行人名单；②2017年的第三大客户深圳市持创捷宇2014年6月因登记住所或经营场所无法联系被纳入经营异常名录，2015年6月移出；2019年公司股权和动产处于出质或抵押状态，期间还多次成为被告，经营状况估计不太良好；③2019年的第三大客户红板（江西）有限公司2019年5月至今有多处动产处于抵押状态。

2017-2019年芯碁微的期末应收账款余额为0.1亿元、0.47亿元和1.06亿元，占流动资产的比例为12.51%、30.02%和23.31%，作为一个业务还处于扩张期的 科技 企业而言应收账款占比高一点也属正常；应收账款余额占营业收入的比例为44.48%、53.38%和52.47%，一半营收变成了欠账，这就积累了过多的坏账风险。

2017-2019年芯碁微计提坏账准备分别为58.16万元、244.95万元和763.11万元，其中2019年对曾经的第一大客户广州俊耀系的229.58万元应收账款计提全部坏账准备。在应收账款坏账准备计提比例上，公司计提比例也相对谨慎，比如账龄4-5年和5年以上的应收账款分别按80%和100%的比例计提，相比而言大族激光对账龄超过3年及以上的一律按照50%计提，这是说明芯碁微谨慎呢还是大族激光激进呢，你们细品：

表面上芯碁微的应收账款占流动资产的比例已经下降到23%左右，但另一方面公司长期应收款的比例较大，报告期内长期应收款净额为838.77万元、530.91万元和2338.42万元，占期末非流动资产的比例为38.38%、25.28%和51.89%，而且坏账率很高，按照公司披露的数据，2018年和2019年29%和8.9%的变为坏账：

2018年芯碁微对客户深圳捷腾电子计提216万元的坏账准备，2019年公司长期应收款增加1807.52万元，主要系深圳鑫顺华电子湖北久祥电子等客户采用分期收款销售产品所致。

如果将应收账款和长期应收款合并，其金额将达到0.2亿元、0.52亿元和1.24亿元，占总资产的比例为20.9%、31%和26.6%，占比仍然较高。

2017年芯碁微的营收从0.22亿元增长至2.02亿元，几乎翻了十倍，但其现金收入比从1.32下降至0.78，结合应收账款和长期应收款等金额变动，公司营收增长很快但回款能力较差，部分客户还采用分期付款的方式，说明在客户拓展、销售模式等方面芯碁微还存在一些问题。芯碁微当前的经营模式短期可能让公司财务数据变得很好看，但长期来看因为部分应收账款变为坏账，现金流和业绩都会面临一定压力。

光刻技术主要应用在微电子中。它一般是对半导体进行加工，需要一个有部分透光部分不透光的掩模板，通过曝光、显影、刻蚀等技术获得和掩模板一样的图形。先在处理过后的半导体上涂上光刻胶，然后盖上掩模板进行曝光；其中透光部分光刻胶的化学成分在曝光过程中发生了变化；之后进行显影，将发生化学变化的光刻胶腐蚀掉，裸露出半导体；之后对裸露出的半导体进行刻蚀，最后把光刻胶去掉就得到了想要的图形。光刻技术在微电子中占有很大的比重，比如微电子技术的进步是通过线宽来评价的，而线宽的获得跟光刻技术有很大的关系。光刻技术就是在需要刻蚀的表面涂抹光刻胶，干燥后把图形底片覆盖其上，有光源照射，受光部分即可用药水洗掉胶膜，没有胶膜的部分即可用浓酸浓碱腐蚀表面。腐蚀好以后再洗掉其余的光刻胶。现在为了得到细微的光刻线条使用紫外线甚至X射线作为光源。

在湿法腐蚀的过程中，通过使用特定的熔液与需要腐蚀的薄膜材料进行化学反应，进而除去没有被光刻胶覆盖区域的薄膜。 湿法腐蚀的优点是工艺简单，但是在湿法腐蚀中所进行的化学反应没有特定方向，所以会形成各向同性的腐蚀效果。各向同性是湿法腐蚀固有的特点，也可以说是湿法腐蚀的缺点。湿法腐蚀通常还会使位于光刻胶边缘下边的薄膜也被腐蚀，这也会使腐蚀后的线条宽度难以控制，选择合适的腐蚀速度，可以减小对光刻胶边缘下边薄膜的腐蚀。 在进行湿法腐蚀的过程中，熔液里的反应剂与被腐蚀薄膜的表面分子发生化学反应，生成各种反应产物。这些反应产物应该是气体，或者是能溶于腐蚀液中的物质。这样，这些反应产物就不会再沉积到被腐蚀的薄膜上。控制湿法腐蚀的主要参数包括：腐蚀溶液的浓度、腐蚀的时间、反应温度以及溶液的搅拌方式等。由于湿法腐蚀是通过化学反应实现的，所以腐蚀液的浓度越高，或者反应温度越高，薄膜被腐蚀的速率也就越快。此外，湿法腐蚀跌反应通常会伴有放热和放气。反应放热会造成局部反应温度的升高，使反应速度加快；反应速率加快又会加剧反应放热，使腐蚀反应处于不受控制的恶性循环中，其结果将导致腐蚀的图形不能满足要求。反应放气产生的气泡会隔绝局部的薄膜与腐蚀的接触，造成局部的反应停止，形成局部的缺陷。因此，在湿法腐蚀中需要进行搅拌。此外，适当的搅拌（例如使用超声波震荡），还可以在一定程度上减轻对光刻胶下方薄膜的腐蚀。 目前常用的湿法腐蚀的材料包括：Si，SiO2和Si2N4等，下面我们将对此进行简要讨论。 一、Si的湿法腐蚀 在湿法腐蚀Si的各种方法中，大多数都是采用强氧化剂对Si进行氧化，然后利用HF酸与SiO2反应来去除SiO2，从而达到对硅的腐蚀目的。最常用的腐蚀溶剂是硝酸与氢氟酸和水（或醋酸）的混合液，化学反应方程式为 Si+HNO3+6HF——H2SiF4+HNO2+H2O+H2 其中，反应生成的H2SiF4可溶于水。在腐蚀液中，水是作为稀释剂，但最好用醋酸（CH3COOH），因为醋酸可以抑制硝酸的分解，从而使硝酸的浓度维持在较高的水平。对于HF-HNO3混合的腐蚀液，当HF的浓度高而HNO3的浓度低时，Si膜腐蚀的速率由HNO3浓度决定（即Si的腐蚀速率基本上与HF浓度无关），因为这时有足量的HF去溶解反应中生成的SiO2.当HF的浓度低而HNO3浓度高时，Si腐蚀的速率取决于HF的浓度（即取决于HF溶解反应生成的SiO2的能力）。 对Si的湿法腐蚀还可以用KOH的水溶液与异丙醇（IPA）相混合来进行。对于金刚石或闪锌矿结构，（111）面的原子比（100）面排的更密，因而（111）面的腐蚀速度应该比（100）面的腐蚀速率小。 采用SiO2层作为掩膜对（100）晶向的硅表面进行腐蚀，可以得到V形的沟槽结构。如果SiO2上的图形窗口足够大，或者腐蚀的时间比较短，可以形成U形的沟槽。如果被腐蚀的是（110）晶向的硅片，则会形成基本为直壁的沟槽，沟槽的侧壁为（111）面。这样就可以利用腐蚀速率对晶体取向的依赖关系制得尺寸为亚微米的器件结构。不过，这种湿法腐蚀的方法大多采用在微机械元件的制造上，在传统的集成电路工艺中并不多见。 二、SiO2的湿法腐蚀 SiO2的湿法腐蚀可以使用氢氟酸（HF）作为腐蚀剂，其反应方程式为： SiO2+6HF——SiF4+2H2O+H2 在上述的反应过程中，HF不断被消耗，因此反应速率随时间的增加而降低。为了避免这种现象的发生，通常在腐蚀液中加入一定的氟化氨作为缓冲剂（形成的腐蚀液称为BHF）。氟化氨分解反应产生HF，从而维持HF的浓度。NH4F分解反应方程式为 NH4F——NH3+HF 分解反应产生的NH3以气态被排除掉。 在集成电路工艺中，除了需要对热氧化和CVD等方式得到的SiO2进行腐蚀外，还需要对磷硅玻璃（简称PSG）和硼磷硅玻璃（简称BPSG）等进行腐蚀。因为这些二氧化硅层的组成成分并不完全相同，所以HF对这些SiO2的腐蚀速率也就不完全一样。基本上以热氧化方式生成的二氧化硅层的腐蚀速率最慢。 三、Si3N4的湿法腐蚀 Si3N4也是一种常用湿法腐蚀的材料。Si3N4可以使用加热的磷酸（130-150度的H3PO4）来进行腐蚀。磷酸对Si3N4的腐蚀速率通常大于对SiO2的腐蚀速率。

---