半导体有源区是什么

半导体有源区是有源区是硅片上做有源器件的区域。硅片上做有源器件的区域。（就是有些阱区。或者说是采用STI等隔离技术，隔离开的区域）。有源区主要针对MOS而言，不同掺杂可形成n或p型有源区。有源区分为源区和漏区（掺杂类型相同）在进行互联之前，两个有源区没有差别。另外，业内通俗的把有后续杂质注入的地方就都叫做有源区了。

减少硅料消耗

对于以硅片为基底的光伏电池来说，晶体硅(c-Si)原料和切割成本在电池总成本中占据了最大的部分。光伏电池生产商可以通过在切片过程中节约硅原料来降低成本。降低截口损失可以达到这个效果，截口损失主要和切割线直径有关，是切割过程本身所产生的原料损失。提升机台产量。

半导体器件中iso区是浅沟道隔离。能实现高密度的隔离，深亚微米器件和DRAM等高密度存储电路。在器件制作之前进行，热预算小，STI技术工艺步骤类似LOCOS，依次生长SiO2淀积Si3N4涂敷光刻胶，光刻去掉场区的SiO2和Si3N4。利用离子刻蚀在场区形成浅的沟槽。进行场区注入，再用CVD淀积SiO2填充沟槽，用化学机械抛光技术去掉表面的氧化层，使硅片表面平整化。工艺复杂，要回刻或者CMP。

STI是英文 shallow trench isolation的简称，翻译过来为 浅槽隔离 工艺。 STI通常用于0.25um以下工艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物，用于与硅隔离。下面详细介绍一下浅槽隔离的步骤，主要包括：槽刻蚀、氧化物填充和氧化物平坦化。槽刻蚀隔离氧化层。硅表面生长一层厚度约150埃氧化层；可以做为隔离层保护有源区在去掉氮化物的过程中免受化学沾污。氮化物淀积。硅表面生长一薄层氮化硅：a)由于氮化硅是坚固的掩膜材料，有助于在STI氧化物淀积过程中保护有源区 b)在CMP时充当抛光的阻挡材料。掩膜，浅槽隔离STI槽刻蚀。在经过上面的光刻之后把没有被光刻胶保护的区域用离子和强腐蚀性的化学物质刻蚀掉氮化硅、氧化硅和硅。需要注意的是会在沟槽倾斜的侧壁及圆滑的底面有助于提高填充的质量和隔离结构的电学特性氧化物填充沟槽衬垫氧化硅硅片再次清洗和去氧化物等清洗工艺后，高温下在曝露的隔离槽侧壁上生长150埃的氧化层，用以阻止氧分子向有源区扩散。同时垫氧层也改善硅与沟槽填充氧化物之间的界面特性沟槽CVD氧化物填充氧化物平坦化化学机械抛光氮化物去除

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