半导体的光电导受哪些因素的影响

半导体的光电导是指光照射半导体使电导增大的现象。本征半导体的电导能力（电导率）很小，经光照射后半导体内部产生光生载流子（电子或空穴），使其导电能力加大。光照射前后半导体电导的改变与光的波长、强度以及半导体中杂质缺陷态的能级位置密切相关。光电导应用于研究半导体中的杂质缺陷态，如施主、受主、缺陷、深能级杂质等在禁带中的能级位置（见半导体物理学），它的灵敏度比通常的光吸收实验高许多，电导率正比于载流子浓度及其迁移率的乘积。因此凡是能激发出载流子的入射光都能产生光电导。入射光可以使电子从价带激发到导带，因而同时增加电子和空穴的浓度；也可以使电子跃迁发生在杂质能级与某一能带之间，因而只增加电子浓度或只增加空穴浓度。前一过程引起的光电导称为本征光电导，后一过程引起的光电导称为杂质光电导。不管哪一种光电导，入射光的光子能量都必须等于或大于与该激发过程相应的能隙 ΔE（禁带宽度或杂质能级到某一能带限的距离），也就是光电导有一个最大的响应波长，称为光电导的长波限λ。http://ic.big-bit.com/

电光吸收几乎瞬需要能量积累程

光电效应

光照射某些物质内部电光激发形电流即光电

光电效应具实验规律：

1．每种金属产光电效应都存极限频率（或称截止频率）即照射光频率能低于某临界值相应波称做极限波（或称红限波）入射光频率低于极限频率论强光都使电逸

2．光电效应产光电速度与光频率关与光强关

3．光电效应瞬性实验发现要光频率高于金属极限频率光亮度论强弱光产都几乎瞬即几乎照金属立即产光电流响应间超十负九秒（1ns）

4.入射光强度影响光电流强弱即影响单位间内由单位面积逸光电数目光颜色变情况入射光越强饱电流越即定颜色光入射光越强定间内发射电数目越

如果是响应特性的话题主可能是想问半导体的响应速度，也就是对高频信号的响应。首先在半导体本身上面分析，就是看禁带的形状，因为这影响到电子在半导体内部的有效质量，禁带变化得越激烈，有效质量越小，受电场加速越快，响应速度就越快。同理还跟掺杂有关系，掺杂越多电子运动阻碍变多，弛豫时间变短，响应也会变慢。在期间层面上金属半导体结或者pn结之间的势垒相差太大，电子穿越的时候需要能量就高，响应也会变慢；还有就是半导体作材料时的厚度，接触面积都会影响传播的时间影响响应速度：材料越薄，接触面积越大，响应越快。如果没有回答对方向可以随时回复~

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