半导体材料的厚度与吸收光谱的关系

半导体材料的厚度与吸收光谱的关系。半导体导带和价带之间存在能隙（energy gap），当入射光的能量等于能隙时，入射光将会被材料大量吸收，因此会在能隙位置出现吸收峰，这是半导体材料吸收光谱的特征峰位置。

半导体导带和价带之间存在能隙（energy

gap），当入射光的能量等于能隙时，入射光将会被材料大量吸收，因此会在能隙位置出现吸收峰，这是半导体材料吸收光谱的特征峰位置。

半导体激光器的光谱线宽比气体激光器的要小，这是因为半导体激光器的激发源是由半导体材料构成的，而气体激光器的激发源是由气体构成的。半导体激光器的激发源拥有更小的谐振腔，因此其光谱线宽更小。此外，半导体激光器的激发源也拥有更高的激发能量，从而使其光谱线宽更小。

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