三极管集电极与发射极的PN结那个宽？

你的意思是想问 PN结的耗尽区宽度 哪个宽吧？

那可以告诉你哈，集电结的耗尽区宽度 更宽。 因为： 发射结（的发射区一侧）是重掺杂。掺杂浓度越高，PN结耗尽区宽度越窄（这个我就不详细说了哈，随便参考一下书籍都可以查到的，有公式，有讲解....）。 实际的BJT的三个区的掺杂浓度的大小是，发射区浓度>基区浓度>集电区浓度。 因此，集电结的耗尽区宽度>发射结的耗尽区宽度。

如果你的意思是想问，结的面积哪个大， 那么，仍然是集电结的面积 大于 发射结的面积。 通常的BJT 都是先做集电区的deep well，再做基区well，最后才在基区well里面做重掺杂发射区。 看看BJT的结构图就明白了哈

希望我的回答对你有所帮助，每个字都是原创哈 ，顺便说明一下，上面那个推荐答案完全错了，回答反了，非常容易误导哈，你可以查查《半导体物理学》。

1.波尔兹曼统计与价带和导带上电子的分布状态并不能形成因果关系。也就是说价带和导带上的电子数量的多少并不是由波尔兹曼统计所左右的。他们与半导体的掺杂浓度、温度、半导体的导电类型有关。

半导体是N型还是P型与其本身和掺杂的材料有关，大体上可以理解为，掺入施主杂质多则为N型，受主杂质多则为P型。

波尔兹曼统计是在不满足费米分布的量子态上适用的载流子统计分布。

“价带上电子基本上是满的，而导带上基本上是没有电子”----它的前提是在绝对零度时，可以这样认为。

2.单纯对于N或者P，半导体的导电本质是少数载流子导电，导带电子与价带空穴分别是导带和价带中的少子，它们决定了半导体的导电特性，所以在研究过程中多数只考虑少子。

3.产生与复合是两个相对的过程。例如：在平衡状态下，半导体内的电子-空穴的产生与复合保持着动态平衡，宏观电流为零。

4.你需要读懂《半导体物理》中空穴的定义。粗略的理解：导带中的每一个电子对应于价带中的一个空穴，它们都是带电粒子；而其他量子态则是电子-空穴对的状态，是不带电的。

这两个概率分别表示量子态被电子和空穴占据的概率，而不是电子和空穴出现的概率。主语不同。

需要注意的是，在特定情况下，不只是允带中才会出现电子和空穴，禁带中也会出现。如果继续学《半导体物理》，你会在接下来的章节中了解到。

希望对你有所帮助。

显然不一样。

这些区域都存在于两半导体或者半导体-金属接触的地方，空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度的区域，而耗尽层则相反。势垒区指由于不同费米面的半导体之间或者半导体-金属之间由于接触而引起载流子重新分配后形成势垒的区域。

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